[发明专利]一种可靠的低压轨到轨跨导放大电路的输入级

权利要求书

1.一种可靠的低压轨到轨跨导放大电路的输入级，其特征在于，包括：PMOS管差分对及其尾部电流管第二PMOS管、NMOS管差分对及其尾部电流管第二NMOS管，第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管，第十PMOS管、第一PMOS管构成输入PMOS差分对，第十NMOS管、第一NMOS管构成输入NMOS管差分对，所述第五PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管是第二PMOS管、第十PMOS管、第一PMOS管的等比例复制，第五NMOS管镜像第三NMOS管和第四NMOS管的电流，然后再通过第六PMOS管、第七PMOS管的镜像流入NMOS管差分对的尾电流第二NMOS管；

所述第七PMOS管的栅极与第六PMOS管的栅极连接，第七PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极连接，第六PMOS管的漏极与第五NMOS管的漏极连接，所述第七PMOS管的栅极、第六PMOS管的栅极连接线与第六PMOS管的漏极、第五NMOS管的漏极连接线之间通过导线连接，所述第十NMOS管的源极与第一NMOS管的源极连接且连接线与第七PMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极连接线相交叉，第三PMOS管的源极、漏极分别与第四PMOS管的源极、漏极连接，所述第五PMOS管的漏极连接在第三PMOS管的源极与第四PMOS管的源极连接线上，第三PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极连接，第四PMOS管的漏极与第四NMOS管的漏极连接，第三NMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极、第五NMOS管的栅极连接，第三PMOS管的漏极、第四PMOS管的漏极的连接线与第三NMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极连接线之间通过导线连接，第二PMOS管的漏极连接在所述第十PMOS管的源极与第一PMOS管的源极连接线上，第七PMOS管的源极、第六PMOS管的源极、第五PMOS管的源极、第二PMOS管的源极接共模电压VDD，第二NMOS管的源极、第五NMOS管的源极、第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极接地，第十NMOS管的栅极、第三PMOS管的栅极、第十PMOS管的栅极接输入信号Vinp，第一NMOS管的栅极、第四PMOS管的栅极、第一PMOS管的栅极连接输入信号Vinn，第二NMOS管的栅极连接偏置电压Vbn，第五PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极接偏置电压Vbp，第十NMOS管的漏极接节点netp0，第十PMOS管的漏极接节点netn0，第一NMOS管的漏极接节点netp1,第一PMOS管的漏极接节点netn1。

2.根据权利要求1所述的一种可靠的低压轨到轨跨导放大电路的输入级，其特征在于，所述第七PMOS管的电流和第二PMOS管的电流在输入共模电压较低时相等。

3.根据权利要求2所述的一种可靠的低压轨到轨跨导放大电路的输入级，其特征在于，所述PMOS管差分对的尾电流为第二PMOS管的电流I_MP2，NMOS管差分对的尾部电流为I_MN2-I_MP7，由于I_MP2＝I_MP7，PMOS管差分对和NMOS管差分对的尾部电流之和为I_MN2,记为I_tot。