[发明专利]一种过流检测电路在审

专利信息
申请号: 201811395197.8 申请日: 2018-11-22
公开(公告)号: CN109239449A 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 黄少卿;马文超;罗永波;宣志斌;肖培磊 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
主分类号: G01R19/165 分类号: G01R19/165;H02M1/32
代理公司: 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 代理人: 杨立秋
地址: 214000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 过流检测电路 过流检测比较器 功率开关管 补偿电路 工作电流 功率开关 过流保护 振铃电压 误触发 振铃 转换器 电路技术领域 过流保护信号 高频率开关 功率管开关 开关转换器 传输延时 导通延时 采样 导通 限流 保证
【权利要求书】:

1.一种过流检测电路,用于高速开关转换器中,其特征在于,所述过流检测电路包括:

振铃补偿电路,用于避免功率管开关节点的振铃电压所带来的过流保护误触发情况;

过流检测比较器,用于比较功率管的工作电流与限流阈值,产生过流保护信号。

2.如权利要求1所述的过流检测电路,其特征在于,所述振铃补偿电路包括主开启信号MAIN_ON,同时接入缓冲器buf、延时单元delay、反相器inv和第一SR触发器SR1的置位端;并且,

所述缓冲器buf与HDRV引脚相连;

所述延时单元delay的输出端连接或门OR的第一输入端;

所述反相器inv的输出连接第二SR触发器SR2的复位端;

所述第一SR触发器SR1的输出端Q与NMOS管N1栅极相连,所述NMOS管N1的漏极和电源VDD之间串联电阻R1和R2,其源极接地;所述电阻R1和R2的连接节点与PMOS管P1的栅极相连,所述PMOS管P1的源极接ILIM引脚,其漏极接地;电流源I连接在所述ILIM引脚与地之间。

3.如权利要求2所述的过流检测电路,其特征在于,所述振铃补偿电路还包括第一比较器A1,所述第一比较器A1的正输入端连接SW引脚,所述第一比较器A1的负输入端置为电压V1,该电压V1小于所述电源VDD的电压,所述第一比较器A1的输出端与所述或门OR的第二输入端相连;所述或门OR的输出端同时与所述第一SR触发器SR1的复位端和所述第二SR触发器SR2的置位端相连。

4.如权利要求2所述的过流检测电路,其特征在于,所述振铃补偿电路还包括电阻RLIM和电容CLIM,电阻RLIM和电容CLIM并联接于所述电源VDD和所述ILIM引脚之间。

5.如权利要求1所述的过流检测电路,其特征在于,所述过流检测比较器具体为第二比较器A2,所述第二比较器A2的负输入端连接SW引脚,正输入端与ILIM引脚相连,所述第二比较器A2的控制端连接第二SR触发器SR2的输出端Q,所述第二SR触发器SR2的输出端Q输出比较器使能信号,用于决定所述第二比较器A2的工作时间,适时触发过流检测功能。

6.如权利要求1所述的过流检测电路,其特征在于,所述过流检测电路包括芯片外电路,所述芯片外电路包括电感LS、二极管D、电容COUT和功率开关管HSNMOS;其中,

所述电感LS作为能量传输元件连接在SW引脚和输出电压VOUT之间;

所述电容COUT作为储能元件连接在输出电压VOUT与地之间;

所述二极管D作为续流元件连接在所述SW引脚与地之间;

所述功率开关管HSNMOS的漏端与电源电压VDD相连,源端与所述SW引脚相连,栅端与HDRV引脚相连;功率开关管HSNMOS的开关由HDRV端口控制,当功率开关管HSNMOS导通后,电源电压VDD通过电感LS向输出电压VOUT传输能量,当功率开关管HSNMOS关闭后,能量通过二极管D进行续流。

7.如权利要求6所述的过流检测电路,其特征在于,所述功率开关管HSNMOS为N型功率MOSFET。

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