[发明专利]一种高效导热芯片基板结构及制备方法有效
| 申请号： | 201811395177.0 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109585399B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 赵立霞;唐晔;明宪良;汪小明 | 申请（专利权）人： | 北京遥感设备研究所 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/473;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中国航天科工集团公司专利中心 11024 | 代理人： | 葛鹏 |
| 地址： | 100854*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高效 导热 芯片 板结 制备 方法 | ||
1.一种高效导热芯片基板结构，其特征在于，包括：基板导热层、基板封装层，还包括：金属化传导热网，其中，金属化热传导网由金属热点阵列和金属扩热膜构成；
所述基板导热层通过刻蚀形成微流道，在微流道的顶部形成通孔阵列，在基板导热层的微流道顶部表面的通孔阵列中形成金属热点阵列，在微流道的顶部形成金属扩热膜，金属热点阵列和金属扩热膜共同形成金属化热传导网。
2.根据权利要求1所述的高效导热芯片基板结构，其特征在于，所述基板导热层通过钎焊与基板封装层连接为一体。
3.根据权利要求1所述的高效导热芯片基板结构，其特征在于，所述基板导热层的厚度大于2mm。
4.根据权利要求1所述的高效导热芯片基板结构，其特征在于，所述微流道的深度为1.5mm。
5.根据权利要求1所述的高效导热芯片基板结构，其特征在于，所述通孔阵列的直径为0.5mm。
6.根据权利要求1所述的高效导热芯片基板结构，其特征在于，所述金属扩热膜的厚度为0.5mm。
7.根据权利要求2所述的高效导热芯片基板结构，其特征在于，所述基板封装层的厚度为1mm。
8.一种高效导热芯片基板结构的制备方法，其特征在于，包括：
使用玻璃材料制造基板导热层，通过刻蚀形成微流道，在微流道的顶部，刻蚀通孔阵列；通过沉积工艺，在基板导热层的微流道顶部表面的通孔阵列中进行紫铜的沉积，直到通孔阵列被完全填满形成金属热点阵列，在微流道的顶部形成金属扩热膜，金属热点阵列和金属扩热膜共同形成金属化热传导网。
9.根据权利要求8所述的高效导热芯片基板结构的制备方法，其特征在于，还包括将玻璃材料制成的基板封装层通过钎焊，与基板导热层连接为一体，实现微流道上下的密封。
10.根据权利要求9所述的高效导热芯片基板结构的制备方法，其特征在于，所述通孔阵列的直径为0.5mm。
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