[发明专利]一种适用于氮化物外延层生长的复合衬底在审
| 申请号： | 201811392946.1 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109616560A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/16;H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底层 衬底 氮化物外延层 复合 低缺陷密度区域 图形化结构 蓝宝石 制备 高缺陷密度区域 生长氮化物 光刻制程 外延生长 向上生长 高品质 外延层 生长 晶面 暴露 | ||
1.一种适用于氮化物外延层生长的复合衬底，分别由第一衬底层、第二衬底层和第三衬底层所组成；其特征在于：
所述第一衬底层为非（0001）面的蓝宝石衬底,且所述第一衬底层的表面和蓝宝石（0001）面的夹角大于30o,所述第一衬底层上具有周期性的图形化结构，所述图形化结构的图形表面暴露有和蓝宝石（0001）面夹角小于15o的蓝宝石特定晶面；
所述第二衬底层为于所述第一衬底层上生长的氮化物外延层，且所述第二衬底层的表面包括有高缺陷密度区域和低缺陷密度区域，所述高缺陷密度区域的缺陷是由所述特定晶面处晶体生长产生的缺陷以平行于所述特定晶面的方向延伸所得；
所述第三衬底层为于所述第二衬底层上沉积的介质层，且所述第三衬底层是通过光刻制程所形成并具有周期性的排布方式。
2.根据权利要求1所述的一种适用于氮化物外延层生长的复合衬底，其特征在于：所述第三衬底层的周期性排布方式与所述第二衬底层的高、低缺陷密度区域的周期性相对应，且所述第三衬底层完全或部分覆盖所述高缺陷密度区域。
3.根据权利要求1所述的一种适用于氮化物外延层生长的复合衬底，其特征在于：所述第一衬底层还可为非（111）面的硅衬底,且所述第一衬底层的表面和硅（111）面的夹角大于30o,所述第一衬底层上具有周期性的图形化结构，所述图形化结构的图形表面暴露有和硅（111）面夹角小于15o的硅特定晶面。
4.根据权利要求1所述的一种适用于氮化物外延层生长的复合衬底，其特征在于：所述第一衬底层、第二衬底层和第三衬底层的周期间距相同，且所述周期间距介于1-10um之间。
5.根据权利要求1所述的一种适用于氮化物外延层生长的复合衬底，其特征在于：所述第二衬底层的材质为氮化镓、氮化铝、氮化铟、氮化硼及其合金化合物。
6.根据权利要求1所述的一种适用于氮化物外延层生长的复合衬底，其特征在于：所述第二衬底层的厚度介于1-10um之间。
7.根据权利要求1所述的一种适用于氮化物外延层生长的复合衬底，其特征在于：所述第三衬底层的材质为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
8.根据权利要求1所述的一种适用于氮化物外延层生长的复合衬底，其特征在于：所述第三衬底层的厚度小于20um。
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