[发明专利]碳化硅高温退火表面保护的制作方法及碳化硅功率器件

权利要求书

1.碳化硅高温退火表面保护的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在碳化硅圆片表面沉积二氧化硅介质作为离子注入的散射层；所述二氧化硅介质的厚度为30nm-70nm；

在二氧化硅介质表面涂覆光刻胶，并对注入区域进行曝光、显影，露出二氧化硅介质；

对碳化硅圆片进行离子注入；

去除光刻胶；

去除二氧化硅介质；

在碳化硅圆片表面沉积类金刚石薄膜作为高温退火的保护层；

对碳化硅圆片进行高温退火；所述高温退火的温度为1600℃-1700℃，时间为15分钟-40分钟；

去除类金刚石薄膜；

所述在碳化硅圆片表面沉积类金刚石薄膜作为高温退火的保护层的过程中，采用等离子增强化学气相淀积台，利用射频放电使碳氢气体电离，从而沉积类金刚石薄膜进行表面保护制作；所述类金刚石薄膜的厚度为0.3μm-1.5μm。

2.如权利要求1所述的碳化硅高温退火表面保护的制作方法，其特征在于，所述二氧化硅介质的厚度为40nm-60nm。

3.如权利要求1所述的碳化硅高温退火表面保护的制作方法，其特征在于，所述类金刚石薄膜的厚度为0.5μm-1.0μm。

4.碳化硅功率器件，其特征在于，采用如权利要求1-3任一项所述的方法制备。