[发明专利]一种碳化硅器件的离子注入方法

说明书

本发明公开了一种碳化硅器件的离子注入方法，包括：在碳化硅圆片表面淀积介质层；在所述介质层上涂覆光刻胶，得到涂覆光刻胶后的碳化硅圆片；对所述涂覆光刻胶后的碳化硅圆片进行光刻，使离子注入区域暴露；根据离子注入能量和离子注入剂量，选择对应的注入温度，并在所述离子注入区域注入离子；去除所述光刻胶和所述介质层，得到离子注入后的碳化硅圆片。根据不同的离子注入能量和不同的离子注入剂量，选择不同的注入温度，多次注入后形成均匀的注入结构，减少离子注入损伤，提高注入杂质的激活率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种碳化硅器件的离子注入方法。

背景技术

宽禁带半导体碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率突出等优点，在电力电子器件制造领域具有很大的潜力。SiC器件的欧姆接触需要重掺杂注入，且VDMOS中的P阱注入对于器件阈值电压、沟道迁移率等关键参数有着决定性的影响，减少离子注入损伤、提高注入离子激活率成为SiC器件制造中的关键因素。

目前，SiC器件制作过程中，离子注入损伤高，注入的离子激活率低。

发明内容

本发明实施例提供了一种碳化硅器件的离子注入方法，旨在解决现有技术中离子注入损伤高，注入离子的激活率低的问题。

本发明实施例的提供了一种碳化硅器件的离子注入方法，包括：

在碳化硅圆片表面淀积介质层；

在所述介质层上涂覆光刻胶，得到涂覆光刻胶后的碳化硅圆片；

对所述涂覆光刻胶后的碳化硅圆片进行光刻，使离子注入区域暴露；

根据离子注入能量和离子注入剂量，选择对应的注入温度，并在所述离子注入区域注入离子；

去除所述光刻胶和所述介质层，得到离子注入后的碳化硅圆片。

在一个实施例中，所述介质层厚度为18-22nm。

在一个实施例中，所述光刻胶的厚度为3-5μm。

在一个实施例中，所述根据离子注入能量和离子注入剂量，选择对应的注入温度，包括：

离子注入能量大于等于200KeV，离子注入剂量大于等于1E15cm^-2时，注入温度为300℃-500℃；

离子注入能量小于200KeV，离子注入剂量小于1E15cm^-2时，注入温度为常温。

在一个实施例中，所述常温指靶盘不加热时的温度，注入温度为300℃-500℃指靶盘加热到300℃-500℃。

在一个实施例中，所述在所述离子注入区域注入离子，包括：

在离子注入区域分别注入铝离子和氮离子。

在一个实施例中，所述去除所述光刻胶和所述介质层，得到离子注入后的碳化硅圆片之后，还包括：

在所述离子注入后的碳化硅圆片表面淀积保护层；

激活注入的杂质并修复注入损伤。

在一个实施例中，所述保护层厚度为300-500nm。

在一个实施例中，所述激活注入的离子，包括：

对淀积有保护层的碳化硅圆片进行高温退火，激活注入的杂质。

本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：本发明根据不同的离子注入能量和不同的离子注入剂量，选择不同的注入温度，多次注入后形成均匀的注入结构，减少离子注入损伤，提高注入离子的激活率。

附图说明