[发明专利]一种半导体制造设备及用于该设备腔室的阀门在审
| 申请号： | 201811390465.7 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111207214A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | F16J15/10 | 分类号： | F16J15/10;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制造 设备 用于 阀门 | ||
1.一种用于半导体制造设备的腔室的阀门，其特征在于，所述阀门包括门体及设置在所述门体上的密封圈，所述门体的边缘具有凹槽，所述凹槽的底部宽度大于其开口部的宽度；所述密封圈设置在所述门体的凹槽中，所述密封圈的横截面具有使其与所述凹槽紧密配合的榫型结构。
2.根据权利要求1所述的阀门，其特征在于，所述密封圈包括密封本体及突出部，所述密封本体的横截面包括底部宽度大于上部宽度的梯形结构，所述突出部由所述密封本体的上部延伸形成，并且所述突出部的顶部为弧形。
3.根据权利要求2所述的阀门，其特征在于，所述密封圈的密封本体的横截面的底部具有圆角。
4.根据权利要求2所述的阀门，其特征在于，所述密封圈的密封本体的底部宽度L介于3-6mm，高度H1介于3-6mm，所述突出部的高度H2介于0.8-1.2mm，所述密封圈由密封本体的底部向突出部的顶部弧形延伸时向内缩进的距离ΔL介于0.4-0.6mm。
5.根据权利要求1所述的阀门，其特征在于，所述密封圈由全氟化橡胶制成。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的阀门，其特征在于，所述密封圈的耐热温度介于280～320℃，硬度介于70～85HA，抗拉强度介于16～20MPa。
7.一种半导体制造设备，其特征在于，所述制造设备包括放置晶圆的狭缝型腔体，所述腔体具有对其进行密封的可开关的阀门，所述阀门包括门体及设置在所述门体上的密封圈，所述门体的边缘具有凹槽，所述凹槽的底部宽度大于其开口部的宽度；所述密封圈设置在所述门体的凹槽中，所述密封圈的横截面具有使其与所述凹槽紧密配合的榫型结构。
8.根据权利要求7所述的半导体制造设备，其特征在于，所述密封圈包括密封本体及突出部，所述密封本体的横截面包括底部宽度大于上部宽度的梯形结构，所述突出部由所述密封本体的上部延伸形成，并且所述突出部的顶部为弧形。
9.根据权利要求8所述的半导体制造设备，其特征在于，所述密封圈的密封本体的横截面的底部具有圆角。
10.根据权利要求8所述的半导体制造设备，其特征在于，所述密封圈的密封本体的底部宽度L介于3-6mm，高度H1介于3-6mm，所述突出部的高度H2介于0.8-1.2mm，所述密封圈由密封本体的底部向突出部的顶部弧形延伸时向内缩进距离ΔL介于0.4-0.6mm。
11.根据权利要求7所述的半导体制造设备，其特征在于，所述密封圈由全氟化橡胶制成。
12.根据权利要求7-11中任一项所述的半导体制造设备，其特征在于，所述密封圈的耐热温度介于280～320℃，硬度介于70～85HA，抗拉强度介于16～20MPa。
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