[发明专利]钨膜的成膜方法和成膜装置

权利要求书

1.一种钨膜的成膜方法，其特征在于：

反复进行对被处理基板交替供给氯化钨气体和H₂气体的循环，在所述被处理基板的表面，不成膜核生成用的初始钨膜而直接成膜主钨膜。

2.一种钨膜的成膜方法，其特征在于：

反复进行使氯化钨气体吸附于被处理基板的表面的步骤和使吸附于所述被处理基板的表面的所述氯化钨气体与H₂气体进行反应的步骤，在所述被处理基板的表面，不成膜核生成用的初始钨膜而直接成膜主钨膜。

3.如权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：

作为所述被处理基板使用在表面形成有金属膜的基板，在所述金属膜的表面成膜所述主钨膜。

4.如权利要求3所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：

所述金属膜为TiN膜或TiSiN膜。

5.如权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：

在所述被处理基板形成凹部，在所述凹部内成膜所述主钨膜而将所述凹部填埋。

6.如权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：

进行剩余的所述氯化钨气体的吹扫和剩余的所述H₂气体的吹扫。

7.如权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：

所述氯化钨为WCl₆、WCl₅、WCl₄的任一者。

8.如权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：

所述被处理基板的温度为400～550℃。

9.如权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：

处理容器内的压力为5Torr以上。

10.如权利要求9所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：

处理容器内的压力为10～30Torr。

11.如权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：

所述氯化钨气体的供给量为0.25～15sccm。

12.如权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：

所述氯化钨气体的供给时间为每次0.5～10sec。

13.如权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：

所述H₂气体的供给量为500～5000sccm。

14.如权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：

所述H₂气体的供给时间为每次0.5～10sec。

15.如权利要求1或2所述的钨膜的成膜方法，其特征在于：

所述主钨膜的在厚度为20nm时的电阻率值为40μΩ·cm以下。

16.一种成膜装置，其特征在于，包括：

收纳被处理基板的处理容器；

向所述处理容器供给氯化钨气体的氯化钨气体供给机构；

向所述处理容器供给H₂气体的H₂气体供给机构；和

控制部，该控制部的结构是控制所述氯化钨气体供给机构和所述H₂气体供给机构，使得反复进行对收纳于所述处理容器内的所述被处理基板交替供给氯化钨气体和H₂气体的循环，在所述被处理基板的表面，不成膜核生成用的初始钨膜而直接成膜主钨膜。