[发明专利]用于捕获半导体制造设备的粉末的装置有效
申请号: | 201811389325.8 | 申请日: | 2018-11-21 |
公开(公告)号: | CN110581086B | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
发明(设计)人: | 徐圣旼;李赫洙;朴铢正;郑玄镐 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司;艾洛特真空技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 捕获 半导体 制造 设备 粉末 装置 | ||
一种用于捕获半导体制造设备的粉末的装置可以包括第一捕获单元、第二捕获单元、连接管道和空气脉动单元。第一捕获单元可以首要地捕获从处理室排出的废气中的粉末。第二捕获单元可以辅助地捕获废气中的粉末。连接管道可以连接在第一捕获单元与第二捕获单元之间,以将第一捕获单元中的废气传送到第二捕获单元。空气脉动单元可以连接到连接管道,以去除连接管道中剩余的粉末。第一捕获单元和第二捕获单元中的任一个可以包括防止粉末逆流结构。防止粉末逆流结构可以包括至少一个捕捉翼,所述捕捉翼沿第一捕获单元或第二捕获单元的延伸方向布置。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年6月7日向韩国知识产权局提交的第10-2018-0065440号韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
各个实施例总体上可以涉及半导体制造设备,更具体地,涉及用于捕获半导体制造设备的粉末的装置。
背景技术
一般来说,半导体器件可以在处理室中通过多个工艺来制造。在可能执行的工艺期间,在处理室中可以产生包括点火气体、腐蚀性物质、有毒物质等的废气。废气可以通过真空泵从处理室排出。
废气可以被空气或温度固化,以沉积粉末。在处理室中的废气的粉末可能导致真空泵的故障,减少真空泵的寿命。特别地,故障的真空泵可能导致废气的逆流,污染处理室。
发明内容
在本公开的示例性实施例中,一种用于捕获半导体制造设备的粉末的装置可以包括第一捕获单元、第二捕获单元、连接管道和空气脉动单元。所述第一捕获单元可以首要地捕获从处理室排出的废气中的粉末。所述第二捕获单元可以辅助地捕获所述废气中的粉末。所述连接管道可以连接在所述第一捕获单元与所述第二捕获单元之间,以将所述第一捕获单元中的废气传送到所述第二捕获单元。所述空气脉动单元可以连接到所述连接管道,以去除所述连接管道中剩余的粉末。所述第一捕获单元和所述第二捕获单元中的任一个可以包括防止粉末逆流结构。所述防止粉末逆流结构可以包括至少一个捕捉翼,所述捕捉翼沿所述第一捕获单元或所述第二捕获单元的延伸方向布置。
在本公开的示例性实施例中,一种用于捕获半导体制造设备的粉末的装置可以包括第一捕获单元、第二捕获单元、连接管道和空气脉动单元。所述第一捕获单元可以首要地捕获从处理室排出的废气中的粉末。所述第二捕获单元可以辅助地捕获所述废气中的粉末。所述连接管道可以连接在所述第一捕获单元与所述第二捕获单元之间,以将所述第一捕获单元中的所述废气传送到所述第二捕获单元。所述空气脉动单元可以连接到所述连接管道,以去除所述连接管道中剩余的粉末。所述第一捕获单元可以包括防止粉末逆流结构。所述防止粉末逆流结构可以包括沿所述第一捕获单元的延伸方向布置的多个捕捉翼。所述第二捕获单元可以包括漏斗形状的捕捉盒,所述捕捉盒具有沿向下方向逐渐减小的内径。
附图说明
从结合附图的以下详细说明中将更清楚地理解本公开的主旨的以上和其他方面、特征和优点,其中:
图1是示出根据示例性实施例的半导体制造设备的截面图;
图2是示出根据示例性实施例的用于捕获粉末的装置的前视图;
图3是示出图2中的装置的平面图;
图4是沿图3的线III-III’截取的截面图;
图5是沿图2的线V-V’截取的截面图;
图6是示出根据示例性实施例的用于捕获粉末的装置的前视图;
图7是沿图6的线VI-VI’截取的截面图;以及
图8是沿图6的线VII-VII’截取的截面图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司;艾洛特真空技术有限公司,未经爱思开海力士有限公司;艾洛特真空技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造