[发明专利]电荷泵的电路装置、半导体存储器及输出电压过冲保护方法在审
申请号: | 201811389062.0 | 申请日: | 2018-11-21 |
公开(公告)号: | CN111211548A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04;H02M3/07;G11C5/14 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 王珺;武晨燕 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷 电路 装置 半导体 存储器 输出 电压 保护 方法 | ||
1.一种电荷泵的电路装置,所述电路装置包括电荷泵和由至少两个分压电阻串联构成的分压支路,其特征在于,还包括输出电压过冲保护电路,所述输出电压过冲保护电路包括第一比较器和开关晶体管;
所述第一比较器包括第一输入端、第二输入端以及第一输出端,所述第一输入端用于接收第一参考电压,所述第二输入端连接至所述分压支路上的第一连接点,所述第一连接点位于两个所述分压电阻之间,所述第二输入端用于接收第一分压,所述第一输出端连接至所述开关晶体管的栅极;
所述开关晶体管包括所述栅极、漏极源极,所述漏极连接到所述输出电压,所述源极接地;
所述第一比较器用于当输出电压过冲导致所述第一分压大于所述第一参考电压时,输出高电平;
所述开关晶体管用于根据所述高电平控制所述开关晶体管接通,降低所述输出电压。
2.如权利要求1所述的电路装置,其特征在于,还包括第二比较器,所述第二比较器包括第三输入端、第四输入端以及第二输出端,所述第三输入端用于接收第二参考电压,所述第四输入端用于接收第二分压,所述第二输出端连接至所述电荷泵的输入端,所述电荷泵的输出端连接至被供电装置;
所述第二比较器用于当所述第二分压小于或等于所述第二参考电压时,输出升压信号,所述电荷泵用于根据所述升压信号升高所述输出电压。
3.如权利要求2所述的电路装置,其特征在于,所述第四输入端连接至所述分压支路上的第二连接点,所述第二连接点与所述第一连接点之间设置有至少一个所述分压电阻,所述第二分压大于所述第一分压。
4.如权利要求2所述的电路装置,其特征在于,所述第四输入端连接至所述分压支路上的第一连接点,所述第二分压等于所述第一分压。
5.如权利要求1所述的电路装置,其特征在于,所述第一比较器用于当所述第一分压小于所述第一参考电压时,输出低电平;
所述开关晶体管用于根据所述低电平控制所述开关晶体管关闭。
6.如权利要求1至5任一项所述的电路装置,其特征在于,还包括负载电容和负载电阻,所述负载电容的一端和所述负载电阻的一端均连接至所述电荷泵的输出端,所述负载电容的另一端和所述负载电阻的另一端均接地。
7.一种半导体存储器,包括如权利要求1至6任一项的电路装置。
8.一种电荷泵的输出电压过冲保护方法,其特征在于,所述方法包括:
当电荷泵的输出电压过冲导致第一分压大于第一参考电压时,输出高电平,所述第一分压是分压支路上两个分压电阻之间的第一连接点的电压;
根据所述高电平控制开关晶体管打开,对所述电荷泵的输出端进行放电,降低所述输出电压。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,还包括:
当第二分压小于或等于第二参考电压时,输出升压信号,所述第二分压是所述分压支路上的第二连接点的电压,所述第二连接点与所述第一连接点之间设置有至少一个所述分压电阻,或者所述第二连接点与所述第一连接点是同一连接点;
根据所述升压信号升高所述电荷泵的输出电压。
10.如权利要求8-9任一项所述的方法,其特征在于,还包括:
当所述第一分压小于所述第一参考电压时,输出低电平;
根据所述低电平控制所述开关晶体管关闭。
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