[发明专利]得自含胺引发的多元醇的固化剂的高去除速率化学机械抛光垫

权利要求书

1.一种用于抛光衬底的化学机械(CMP)抛光垫，所述衬底选自磁性衬底、光学衬底和半导体衬底中的至少一个，所述抛光垫包含适于抛光所述衬底的抛光层，所述抛光层是包含以下的反应混合物的聚氨基甲酸酯反应产物：由15至30重量％的胺引发的多元醇和70至85重量％的芳香族二胺组成的(i)固化剂，所述多元醇具有平均3个至小于5个羟基且数均分子量为150至400，以及(ii)聚异氰酸酯预聚物，其数均分子量为600至5,000且未反应的异氰酸酯含量在6.5至11重量％范围内,

其中所述抛光层的tanδ峰值温度为50至80℃，所述tanδ在所述tanδ峰值温度下的值为0.2至0.8，并且所述抛光层的在30℃下测量的扭转储能模量G'与在90℃下测量的扭转储能模量G'之比为5至45，

所述反应混合物的凝胶时间在2至15分钟范围内。

2.根据权利要求1所述的CMP抛光垫，其在所述反应混合物中包含由15至小于20重量％的胺引发的多元醇和80至85重量％的芳香族二胺组成的所述(i)固化剂，所述多元醇具有平均3个至小于5个羟基且数均分子量为150至400。

3.根据权利要求1所述的CMP抛光垫，其中所述胺引发的多元醇具有平均4个羟基。

4.根据权利要求1所述的CMP抛光垫，其中在所述反应混合物的所述(i)固化剂中，所述胺引发的多元醇是乙二胺或氨基乙基乙醇胺引发的多元醇。

5.根据权利要求1所述的CMP抛光垫，其中在所述(i)固化剂中，所述芳香族二胺选自4,4'-亚甲基双(3-氯-2,6-二乙基苯胺)MCDEA；4,4'-亚甲基-双-邻氯苯胺MbOCA；二乙基甲苯二胺；叔丁基甲苯二胺；氯甲苯二胺；二甲基硫代甲苯二胺DMTDA；1,2-双(2-氨基苯硫代)乙烷；三亚甲基二醇二-对氨基-苯甲酸酯；叔戊基甲苯二胺；聚四亚甲基氧化物二-对氨基苯甲酸酯；聚环氧丙烷二-对氨基苯甲酸酯；环氧丙烷二-对氨基苯甲酸酯；氯二氨基苯甲酸酯；亚甲基二苯胺；异佛尔酮二胺；1,2-二氨基环己烷；双(4-氨基环己基)甲烷；4,4'-二氨基二苯砜；间苯二胺；二甲苯二胺；1,3-双(氨基甲基环己烷)；和其混合物。

6.根据权利要求1所述的CMP抛光垫，其在所述反应混合物中包含(ii)聚异氰酸酯预聚物，所述预聚物的数均分子量为600至5,000且未反应的异氰酸酯含量在8至9.5重量％范围内。

7.根据权利要求1所述的CMP抛光垫，其中在所述反应混合物中，所述(ii)聚异氰酸酯预聚物由以下形成：芳香族二异氰酸酯；来自二异氰酸酯的芳香族异氰脲酸酯；以所述芳香族二异氰酸酯和任何脂环族二异氰酸酯的总重量计，与至多50重量％的脂环族二异氰酸酯混合的芳香族二异氰酸酯；或芳香族二异氰酸酯的混合物的二异氰酸酯反应；并且由选自聚丙二醇PPG、聚四亚甲基醚二醇PTMEG、聚乙二醇或其混合物的多元醇形成。

8.根据权利要求1所述的CMP抛光垫，其中以所述反应混合物的总重量计，所述反应混合物不含水。

9.根据权利要求1所述的CMP抛光垫，其中所述抛光垫或抛光层不含微元件，并且所述反应混合物进一步包含表面活性剂。