[发明专利]基于多核处理器的数据访问方法和装置有效

专利信息
申请号: 201811385741.0 申请日: 2018-11-20
公开(公告)号: CN109684237B 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 宋昌 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G06F12/0897 分类号: G06F12/0897;G06F12/0815
代理公司: 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 代理人: 张欣;王君
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基于 多核 处理器 数据 访问 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种从多核处理器中读数据的方法,其特征在于,所述多核处理器中包括多个内核以及三级缓存,每个内核的二级缓存器包括第一缓存区以及第二缓存区,所述第一缓存区中存储的数据的修改频率高于所述第二缓存区中存储的数据的修改频率,

所述方法包括:

所述多个内核中的第一内核向所述第一内核的二级缓存器发送读请求,所述读请求请求读取第一读数据;

若所述第一读数据未存储在所述第一内核的所述二级缓存器以及所述三级缓存器中,所述第一内核通过查询目录从所述多个内核中确定目标内核,并向所述目标内核转发所述读请求,所述目录记录所述目标内核的所述第一缓存区中存储有所述第一读数据;

若所述目录中未记录有所述第一读数据,所述第一内核向所述多个内核中的其他内核发送所述读请求。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述目录用于记录所述多个内核中每个内核的所述第一缓存区中存储的数据的索引。

3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,若所述目录中未记录所述第一读数据,所述第一内核向所述多个内核中的其他内核发送所述读请求,包括:

所述第一内核向所述其他内核发送所述读请求,以从所述其他内核的所述第二缓存区中读取所述第一读数据,并将所述第一读数据加载到所述第一内核的所述第二缓存区。

4.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述第一缓存区位于静态随机存储器SRAM,所述第二缓存区位于非易失存储器NVM,其中,所述NVM包括自旋转移力矩随机存储器STT-RAM或磁性随机存储器MRAM。

5.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述第一缓存区用于存储脏数据,所述第二缓存区用于存储只读数据。

6.一种向多核处理器中写数据的方法,其特征在于,所述多核处理器中包括多个内核以及三级缓存,每个内核的二级缓存器包括第一缓存区以及第二缓存区,所述第一缓存区中存储的数据的修改频率高于所述第二缓存区中存储的数据的修改频率,

所述方法包括:

所述多个内核中的第一内核向所述第一内核的二级缓存器发送写请求,所述写请求请求写目标写数据;

若目标数据未存储在所述第一内核的所述二级缓存器以及所述三级缓存器中,所述第一内核通过查询目录确定目标内核,并向所述目标内核发送无效信号,所述无效信号用于将所述目标内核中的目标数据标记为无效数据,其中,所述目录用于记录所述目标内核的第一级缓存区中存储有所述目标数据;

若所述目录中未记录所述目标数据,所述第一内核向所述多个内核中的其他内核发送所述无效信号。

7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述目录用于记录所述多个内核中每个内核的所述第一缓存区中存储的数据的索引。

8.如权利要求6或7所述的方法,其特征在于,所述第一缓存区位于静态随机存储器SRAM,所述第二缓存区位于非易失存储器NVM,其中,所述NVM包括自旋转移力矩随机存储器STT-RAM或磁性随机存储器MRAM。

9.如权利要求6或7所述的方法,其特征在于,所述第一缓存区用于存储脏数据,所述第二缓存区用于存储只读数据。

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