[发明专利]用于毫米波半导体装置的本地振荡器分配有效

专利信息
申请号: 201811384513.1 申请日: 2018-11-20
公开(公告)号: CN109946692B 公开(公告)日: 2023-08-15
发明(设计)人: 阿贝拉特·贝拉尔;亚若·巴拉萨伯拉马尼彦 申请(专利权)人: 格芯(美国)集成电路科技有限公司
主分类号: G01S13/32 分类号: G01S13/32;G01S13/93;G01S7/28;G01S7/35
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 毫米波 半导体 装置 本地 振荡器 分配
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

第一线,经配置以携带具有波长λ的第一信号;

第二线,经配置以携带具有波长λ的第二信号;

发送器分配器,经配置以通过该第一线接收该第二信号并提供多个发送器信号,其中,各发送器信号具有该波长λ;以及

接收器分配器,经配置以通过该第二线接收该第二信号并提供多个接收器信号,其中,各接收器信号具有该波长λ;

其中,该第一线具有从λ/4至λ/32的长度且该第二线具有从λ/4至λ/32的长度。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其中:

该第一线具有从λ/8至λ/16的长度或λ/10的长度的至少其中之一;以及

该第二线具有从λ/8至λ/16的长度或λ/10的长度的至少其中之一。

3.如权利要求1所述的半导体装置,还包括第一分配器,经配置以接收具有波长λ的输入信号并提供该第一信号及该第二信号。

4.如权利要求3所述的半导体装置,其中,该第一分配器、该发送器分配器,以及该接收器分配器分别包括:

第一增益元件,与多个第二增益元件串联,其中,该多个第二增益元件并联,

其中,该第一增益元件及各第二增益元件分别包括:

第一电路,包括:

电容器;以及

并联的电阻器、第一晶体管,以及第二晶体管;

其中,该第一晶体管及该第二晶体管的其中之一为NMOS晶体管,且该第一晶体管及该第二晶体管的其中另一个为PMOS晶体管;以及

第二电路,包括:

电容器;以及

并联的电阻器、第一晶体管,以及第二晶体管;

其中,该第一晶体管及该第二晶体管的其中之一为NMOS晶体管,且该第一晶体管及该第二晶体管的其中另一个为PMOS晶体管。

5.如权利要求3所述的半导体装置,还包括以下至少其中之一:

振荡器,用于提供该输入信号;或者

锁相环,用以接收参考信号及频率调制连续波(FMCW)信号并提供该输入信号,其中,该输入信号是锁相的。

6.如权利要求1所述的半导体装置,还包括:

多条第三线,其中,各第三线经配置以携带由该发送器分配器提供的一个发送器信号;

多条第四线,其中,各第四线经配置以携带由该接收器分配器提供的一个接收器信号;

多个发送器中继器,其中,各发送器中继器经配置以通过一条第三线接收一个发送器信号并中继该发送器信号;以及

多个接收器中继器,其中,各接收器中继器经配置以通过一条第四线接收一个接收器信号并中继该接收器信号;

其中,各第三线具有从λ/4至λ/32的长度且各第四线具有从λ/4至λ/32的长度。

7.如权利要求6所述的半导体装置,其中:

各第三线具有从λ/8至λ/16的长度或λ/10的长度的至少其中之一;以及

各第四线具有从λ/8至λ/16的长度或λ/10的长度的至少其中之一。

8.如权利要求6所述的半导体装置,还包括:

多条第五线,其中,各第五线经配置以携带由一个发送器中继器提供的一个中继发送器信号;

多条第六线,其中,各第六线经配置以携带由一个接收器中继器提供的一个中继接收器信号;

发送器倍频器,经配置以倍增各中继发送器信号的频率;以及

接收器倍频器,经配置以倍增各中继接收器信号的频率;

其中,各第五线具有从λ/4至λ/32的长度且各第六线具有从λ/4至λ/32的长度。

9.如权利要求8所述的半导体装置,其中,该发送器倍频器经配置以将各中继发送器信号的频率乘以2、3、4或5,且该接收器倍频器经配置以将各中继接收器信号的频率乘以2、3、4或5。

10.如权利要求9所述的半导体装置,其中,各第四线具有λ/10的长度且各第五线具有λ/10的长度。

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