[发明专利]一种太赫兹偏振调控器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201811383848.1 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109407352A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王大承;谭为;孙松;冯正 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 预设区间 波长 调控器件 介电单元 超结构 介电 偏振 柱状 长轴 全介质材料 周期性分布 短轴方向 工作效率 相位调制 衬底 短轴 制作 | ||
1.一种太赫兹偏振调控器件，其特征在于，所述太赫兹偏振调控器件包括介电超结构和衬底；
所述介电超结构为全介质材料的介电超结构，所述介电超结构包括周期性分布的介电单元，所述介电单元为柱状介电单元；
所述柱状介电单元的长轴长度与待调整太赫兹波长的比值处于第一预设区间中；所述柱状介电单元的短轴长度与待调整太赫兹波长的比值处于第二预设区间中；柱状介电单元的高度与待调整太赫兹波长的比值处于第三预设区间中；
相邻所述柱状介电单元在长轴方向上的间距与待调整太赫兹波长的比值处于第四预设区间中；相邻所述柱状介电单元在短轴方向上的间距与待调整太赫兹波长的比值处于第五预设区间中。
2.如权利要求1所述的太赫兹偏振调控器件，其特征在于，当所述太赫兹偏振调控器件用作半波片时，所述第一预设区间的范围为0.315至0.321；所述第二预设区间的范围为0.105至0.107；所述第三预设区间的范围为0.570至0.582；
所述第四预设区间的范围为0.135至0.138；所述第五预设区间的范围为0.345至0.352。
3.如权利要求1所述的太赫兹偏振调控器件，其特征在于，当所述太赫兹偏振调控器件用作四分之一波片时，所述第一预设区间的范围为0.274至0.279；所述第二预设区间的范围为0.091至0.093；所述第三预设区间的范围为0.495至0.505；
所述第四预设区间的范围为0.117至0.120；所述第五预设区间的范围为0.300至0.307。
4.如权利要求1所述的太赫兹偏振调控器件，其特征在于，所述柱状介电单元为立方体介电单元或椭圆立柱介电单元。
5.如权利要求1所述的太赫兹偏振调控器件，其特征在于，所述介电超结构为高折射率低损耗材料的介电超结构。
6.如权利要求5所述的太赫兹偏振调控器件，其特征在于，所述高折射率低损耗材料包括高阻硅及高阻砷化镓。
7.如权利要求1所述的太赫兹偏振调控器件，其特征在于，所述衬底为低折射率低损耗材料的衬底。
8.如权利要求7所述的太赫兹偏振调控器件，其特征在于，所述高折射率低损耗材料包括石英玻璃、硼硅酸玻璃、聚酰亚胺及聚二甲基硅氧烷。
9.一种太赫兹偏振调控器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底表面设置介电超结构前置物层；
在所述介电超结构前置物层表面设置光刻胶层；
对所述光刻胶层进行曝光、显影和烘干，得到具有预设图案的光刻胶层；
透过具有预设图案的光刻胶层对所述介电超结构前置物层进行刻蚀，得到如权利要求1至8任一项所述的介电超结构；
清洗去除残留的光刻胶层，得到所述太赫兹偏振调控器件。
10.如权利要求9所述的太赫兹偏振调控器件的制作方法，其特征在于，所述介电超结构前置物层通过键合技术设置在所述衬底表面。
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