[发明专利]电子设备、LED数码管结构及其反向漏电流测量方法与装置有效

专利信息
申请号: 201811383323.8 申请日: 2018-11-20
公开(公告)号: CN111276080B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 薛升;周博;黄涛;李奇峰;杨云 申请(专利权)人: 比亚迪半导体股份有限公司
主分类号: G09G3/14 分类号: G09G3/14;G09G3/00;G01R31/52
代理公司: 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 代理人: 谭果林
地址: 518119 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电子设备 led 数码管 结构 及其 反向 漏电 测量方法 装置
【权利要求书】:

1.一种LED数码管结构,其特征在于,所述LED数码管结构包括多个数码管组成的数码管阵列,所述数码管阵列包括第一子数码管阵列和第二子数码管阵列;所述第一子数码管阵列具有多个驱动端口,所述第一子数码管阵列的每列中的多个数码管的正极共接,并与相应的驱动端口连接,所述第一子数码管阵列的每行中的多个数码管的负极共接,并与相应的驱动端口连接,并且不同行中的数码管的负极与相应的驱动端口连接;所述第二子数码管阵列具有多个拆分端口,所述第二子数码管阵列的每列中的多个数码管的正极共接,并与相应的拆分端口连接,所述第二子数码管阵列的第一行中的多个数码管的负极均连接所述第一子数码管阵列的第一个驱动端口,所述第二子数码管阵列的其他行中的多个数码管的负极共接,并与相应的拆分端口连接,并且不同行中的数码管的负极与相应的拆分端口连接,以使通过向待测数码管所在的列位置的对应端口输入反向电压,并向所述待测数码管所在的行位置的对应端口输入正向电压,根据输入的正向电压与反向电压测量所述待测数码管的电流;所述多个驱动端口和所述多个拆分端口分别与端口面板的相应插口连通。

2.如权利要求1所述的LED数码管结构,其特征在于,所述第一子数码管阵列的多个驱动端口与所述第二子数码管阵列中的多个拆分端口通过导线一一对应连接。

3.一种基于权利要求1所述的LED数码管结构的数码管反向漏电流测量方法,其特征在于,所述数码管反向漏电流测量方法包括:

确定待测数码管所处的子数码管阵列;

获取所述待测数码管在所述子数码管阵列中的行位置和列位置;

向所述待测数码管所在的列位置的对应端口输入反向电压,并向所述待测数码管所在的行位置的对应端口输入正向电压;

根据输入的正向电压与反向电压测量所述待测数码管的反向漏电流。

4.如权利要求3所述的数码管反向漏电流测量方法,其特征在于,所述确定待测数码管所处的子数码管阵列包括:

获取所述待测数码管在所述数码管阵列中连接的端口类型,根据所述端口类型确定所述待测数码管所处的子数码管阵列。

5.如权利要求4所述的数码管反向漏电流测量方法,其特征在于,若所述待测数码管所处的子数码管阵列为第一子数码管阵列,则所述向所述待测数码管所在的列位置的对应端口输入反向电压,并向所述待测数码管所在的行位置的对应端口输入正向电压包括:

向所述待测数码管所在的列位置的对应驱动端口输入反向电压,并向所述待测数码管所在的行位置的对应驱动端口输入正向电压。

6.如权利要求4所述的数码管反向漏电流测量方法,其特征在于,若所述待测数码管所处的子数码管阵列为第二子数码管阵列,且所述待测数码管处于所述第二子数码管阵列中的第一行,则所述向所述待测数码管所在的列位置的对应端口输入反向电压,并向所述待测数码管所在的行位置的对应端口输入正向电压包括:

向所述待测数码管所在的列位置的对应拆分端口输入反向电压,并向所述待测数码管所在的行位置的对应驱动端口输入正向电压。

7.如权利要求4所述的数码管反向漏电流测量方法,其特征在于,若所述待测数码管所处的子数码管阵列为第二子数码管阵列,且所述待测数码管不处于所述第二子数码管阵列中的第一行,则所述向所述待测数码管所在的列位置的对应端口输入反向电压,并向所述待测数码管所在的行位置的对应端口输入正向电压包括:

向所述待测数码管所在的列位置的对应拆分端口输入反向电压,并向所述待测数码管所在的行位置的对应拆分端口输入正向电压。

8.一种基于权利要求1所述的LED数码管结构的数码管反向漏电流测量装置,其特征在于,所述数码管反向漏电流测量装置包括:

确定模块,用于确定待测数码管所处的子数码管阵列;

获取模块,用于获取所述待测数码管在所述子数码管阵列中的行位置和列位置;

输入模块,用于向所述待测数码管所在的列位置的对应端口输入反向电压,并向所述待测数码管所在的行位置的对应端口输入正向电压;

测量模块,用于根据输入的正向电压与反向电压测量所述待测数码管的反向漏电流。

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