[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在衬底上的器件区域；

层间电介质层，在所述器件区域上；

第一界面层，在所述层间电介质层的一侧；

低k电介质层，隔着所述第一界面层而与所述层间电介质层间隔开并具有比所述层间电介质层的介电常数小的介电常数；以及

导电线，在所述低k电介质层中，

其中所述第一界面层包括：

与所述低k电介质层接触的第一子界面层；和

与所述层间电介质层接触的第二子界面层，

所述第二子界面层具有比所述第一子界面层的氢渗透性小的氢渗透性。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述层间电介质层上的氢供应层。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一子界面层的介电常数小于所述第二子界面层的介电常数。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一子界面层的介电常数小于6，并且所述第二子界面层的介电常数等于或大于6。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二子界面层的密度大于所述第一子界面层的密度。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一子界面层与所述低k电介质层之间的界面粘附力大于所述第二子界面层与所述低k电介质层之间的界面粘附力。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述层间电介质层在所述低k电介质层上，

所述第一子界面层与所述低k电介质层的顶表面接触，并且

所述第二子界面层与所述层间电介质层的底表面接触。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一子界面层与所述导电线的顶表面接触。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述低k电介质层在所述层间电介质层上，

所述第二子界面层与所述层间电介质层的顶表面接触，并且

所述第一子界面层与所述低k电介质层的底表面接触。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件包括多个所述低k电介质层，并且

其中所述半导体器件还包括在所述多个低k电介质层之间的第二界面层，

所述第二界面层中的至少一个包括第一子界面层和第二子界面层。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件包括多个所述低k电介质层，并且

所述半导体器件还包括在所述多个低k电介质层之间的第二界面层，

所述第二界面层包括多个第一子界面层和在所述多个第一子界面层之间的第二子界面层。

12.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二子界面层比所述第一子界面层厚。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述第二子界面层的厚度为所述第一子界面层的厚度的2倍至10倍。

14.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述层间电介质层包括第一层间电介质层和在所述第一层间电介质层上的第二层间电介质层，

其中所述半导体器件还包括：

在所述第二层间电介质层中的上导电线；和

在所述第一层间电介质层和所述第二层间电介质层之间的第三界面层。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其中所述第三界面层包括第二子界面层。