[发明专利]垂直存储器件

权利要求书

1.一种垂直存储器件，所述垂直存储器件包括：

在衬底上沿基本垂直于所述衬底的上表面的第一方向顺序堆叠的第一杂质区、第二杂质区和第三杂质区；

栅电极结构，所述栅电极结构包括在所述第三杂质区上沿所述第一方向彼此间隔开的多个栅电极；

沟道，所述沟道在所述衬底上沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极结构、所述第二杂质区和所述第三杂质区以及所述第一杂质区的上部；以及

电荷存储结构，所述电荷存储结构覆盖所述沟道的外侧壁的一部分和下表面，

其中，所述沟道直接接触所述第二杂质区的侧壁。

2.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述第一杂质区和所述第三杂质区包括碳和掺杂有n型杂质的多晶硅，所述第二杂质区包括掺杂有n型杂质的多晶硅。

3.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述第一杂质区和所述第三杂质区包括碳和掺杂有p型杂质的多晶硅，所述第二杂质区包括掺杂有p型杂质的多晶硅。

4.根据权利要求1所述的垂直存储器件，所述垂直存储器件还包括位于所述第一杂质区与所述第三杂质区之间的支撑图案。

5.根据权利要求4所述的垂直存储器件，其中，所述支撑图案接触所述第三杂质区的下表面的边缘。

6.根据权利要求4所述的垂直存储器件，其中，所述支撑图案包括掺杂有碳的多晶硅。

7.根据权利要求4所述的垂直存储器件，所述垂直存储器件还包括位于所述第一杂质区与所述支撑图案之间的防扩散图案，所述防扩散图案配置为防止掺杂在所述第一杂质区中的杂质扩散到相邻的层。

8.根据权利要求7所述的垂直存储器件，其中，所述防扩散图案包括氧化物或氮化物。

9.根据权利要求4所述的垂直存储器件，所述垂直存储器件还包括位于所述第一杂质区和所述支撑图案上的公共源极线，所述公共源极线沿所述第一方向延伸。

10.根据权利要求9所述的垂直存储器件，其中，所述公共源极线包括在第三方向上彼此间隔开的多条公共源极线，每条所述公共源极线在基本平行于所述衬底的上表面的第二方向上延伸，所述第三方向基本平行于所述衬底的上表面并且基本垂直于所述第二方向，

其中，所述支撑图案覆盖每条所述公共源极线的下表面的一部分。

11.根据权利要求10所述的垂直存储器件，其中，所述支撑图案包括在所述每条公共源极线下方的、在所述第二方向上彼此间隔开的多个支撑图案。

12.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述第二杂质区直接接触所述第三杂质区的面向所述沟道的外侧壁的侧壁的至少一部分。

13.根据权利要求12所述的垂直存储器件，其中，所述电荷存储结构包括高于所述第二杂质区的第一部分和低于所述第二杂质区的第二部分，

所述第一部分的下表面随着距所述沟道的距离增大而变高，所述第二部分的上表面随着距所述沟道的距离增大而变低。

14.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述第二杂质区包括位于所述第二杂质区中的气隙。

15.根据权利要求1所述的垂直存储器件，所述垂直存储器件还包括位于所述衬底与所述第一杂质区之间的绝缘夹层。

16.根据权利要求15所述的垂直存储器件，其中，所述绝缘夹层覆盖所述衬底上的电路图案。

17.根据权利要求15所述的垂直存储器件，所述垂直存储器件还包括位于所述绝缘夹层与所述第一杂质区之间的公共源极线板。