[发明专利]液晶组合物及其制备方法、微波器件有效

专利信息
申请号: 201811377885.1 申请日: 2018-11-19
公开(公告)号: CN111196927B 公开(公告)日: 2022-01-18
发明(设计)人: 李锐;赵伟利;刘明星;于美娜;孙海雁 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: C09K19/30 分类号: C09K19/30
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 刘小鹤
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 液晶 组合 及其 制备 方法 微波 器件
【说明书】:

发明涉及液晶组合物及其制备方法、微波器件,属于液晶材料领域。该液晶组合物包括:占所述液晶组合物总质量1%‑30%的由炔基‑苯环‑异硫氰基构成的第一类化学结构的化合物,占所述液晶组合物总质量1%‑80%的由炔基‑苯环‑异硫氰基构成的第二类化学结构的化合物,占所述液晶组合物总质量1%‑60%的由炔基‑苯环‑异硫氰基构成的第三类化学结构的化合物,以及占所述液晶组合物总质量1%‑60%的由苯环‑异硫氰基构成的第四类化学结构的化合物。该液晶组合物具有较高的介电调谐率、较低的介电损耗以及较宽的向列相温度范围,适用于制备高性能的微波器件。

技术领域

本发明涉及液晶材料领域,特别涉及液晶组合物及其制备方法、微波器件。

背景技术

液晶材料广泛应用于滤波器、可调频率选择表面、移相器、相控阵雷达、5G通信网路等基于液晶的微波器件中,液晶材料的介电调谐率以及介电损耗直接影响着微波器件的性能。

研究发现,液晶材料的介电调谐率(τ)由液晶材料在微波下的介电各向异性(Δε)及分子平行方向的介电常数(ε)所决定,其中,τ=Δε/ε。而液晶材料的介电损耗一般由其损耗最大值max(tanδ,tanδ)所决定,其中,δ为分子平行方向上的介电损耗角,δ为分子垂直方向上的介电损耗角,两者均可表示介电损耗角δ的大小。

以品质因子η来表征液晶材料的性能参数,η=τ/max(tanδ,tanδ),可见,为了获得高品质的微波器件,期望液晶材料的品质因子尽可能地高,即介电调谐率尽可能地高,而介电损耗尽可能地低。

发明内容

鉴于此,本发明提供一种具有高品质因子的液晶组合物及制备方法、微波器件。具体而言,包括以下的技术方案:

一方面,提供了一种液晶组合物,所述液晶组合物包括:占所述液晶组合物总质量1%-30%的具有通式Ⅰ的化合物

占所述液晶组合物总质量1%-80%的具有通式Ⅱ的化合物

占所述液晶组合物总质量1%-60%的具有通式Ⅲ的化合物

占所述液晶组合物总质量1%-60%的具有通式Ⅳ的化合物

其中,X1、X2均选自H、F或者碳原子数为1~5的烷基;

X3-X14均选自H或F;

Z1、Z2中的一个为-C≡C-,另一个为单键;

环环均选自

在一种可能的实现方式中,所述具有通式Ⅰ的化合物选自以下化合物中的至少一种:

在一种可能的实现方式中,所述具有通式Ⅱ的化合物选自以下化合物中的至少一种:

在一种可能的实现方式中,所述具有通式Ⅲ的化合物选自以下化合物中的至少一种:

在一种可能的实现方式中,所述具有通式Ⅳ的化合物选自以下化合物中的至少一种:

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