[发明专利]基于IBAD纳米涂层设备的溅射靶冷却装置在审
申请号: | 201811377820.7 | 申请日: | 2018-11-19 |
公开(公告)号: | CN109440070A | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 李小宝;周国山;夏佑科;沈玉军;陈慧娟;蔡渊 | 申请(专利权)人: | 东部超导科技(苏州)有限公司;苏州新材料研究所有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导向槽 冷却装置 纳米涂层 出水口 溅射靶 进水口 一体成型的 冷却液体 包络线 密封性 内开 冷却 | ||
1.一种基于IBAD纳米涂层设备的溅射靶冷却装置,其特征在于,包括一体成型的本体,所述本体内开设有进水口、出水口和用于限制冷却液体的导向槽,所述进水口和所述出水口分别设置在所述导向槽的两端;所述导向槽的包络线为矩形。
2.如权利要求1所述的基于IBAD纳米涂层设备的溅射靶冷却装置,其特征在于,所述导向槽沿正弦函数或余弦函数的轨迹开设,所述正弦函数或所述余弦函数的最大值小于所述本体宽度的1/2。
3.如权利要求1所述的基于IBAD纳米涂层设备的溅射靶冷却装置,其特征在于,所述导向槽的轨迹为利萨如曲线,利萨如图形沿X轴和Y轴的谐振动方程可表示为
X=A 1sin(mωt+φ1)
Y=A 2sin(nωt+φ2)
式中频率比为m∶n,频率参数m和n为互质的正整数;φ1和φ2为初相位参量,利萨如图形中质点的轨迹图线和运动走向取决于m、n与φ1、φ2。
4.如权利要求3所述的基于IBAD纳米涂层设备的溅射靶冷却装置,其特征在于,所述利萨如曲线的频率比为4:3、5:3或5:4。
5.如权利要求1所述的基于IBAD纳米涂层设备的溅射靶冷却装置,其特征在于,所述进水口的位置高于所述出水口的位置,且所述进水口所在的平面与水平面的夹角为15-45度。
6.如权利要求1所述的基于IBAD纳米涂层设备的溅射靶冷却装置,其特征在于,所述本体的上表面设置有导热硅胶。
7.如权利要求1所述的基于IBAD纳米涂层设备的溅射靶冷却装置,其特征在于,所述本体的外壁涂覆有银层,所述银层的厚度为1-4um。
8.如权利要求1所述的基于IBAD纳米涂层设备的溅射靶冷却装置,其特征在于,所述本体的材料为银、铜、金、铍、铝、氮化铝、钨或铁中一种或多种。
9.如权利要求1所述的基于IBAD纳米涂层设备的溅射靶冷却装置,其特征在于,所述本体上端部的厚度为5-10mm。
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