[发明专利]一种输入浪涌电流抑制电路在审
| 申请号: | 201811377797.1 | 申请日: | 2018-11-19 |
| 公开(公告)号: | CN109510449A | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
| 发明(设计)人: | 雷哲毅 | 申请(专利权)人: | 天津津航计算技术研究所 |
| 主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32 |
| 代理公司: | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人: | 祁恒 |
| 地址: | 300308 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电流抑制电路 输入浪涌 启动冲击电流 电路 充电电路 供电电源 开关电路 驱动电路 电路输出电压 电容充电电流 电源技术领域 大功率电源 电路输入端 电容充电 电容放电 二次电源 分压电路 功率电阻 滤波电容 输入电源 输入阻抗 瞬间冲击 体积功率 有效抑制 输出端 储能 导通 电阻 上电 串联 电源 | ||
1.一种输入浪涌电流抑制电路,其特征在于,所述电路包括PNP型三极管Q1给电容C1充电,PNP型三极管Q1的集电极通过电阻R4接地,电阻R3与电阻R4串联接在供电电源的正负极之间,电阻R3、电阻R4为P沟道场效应晶体管Q2的G极提供稳定电位,P沟道场效应晶体管Q2的S极和D极分别与供电电源和二次电源的正极相连,当PNP型三极管Q1关断后,电阻R4为电容C2提供放电回路,P沟道场效应晶体管Q2的G极与PNP型三极管Q1的集电极、电阻R3、电阻R4以及电容C2的一端相连,电阻R5与P沟道场效应晶体管Q2的D极、电容C2的另一端以及二次电源的正极相连;电容C2、电阻R3、电阻R4和电阻R5决定二次电源供电的上升率。
2.如权利要求1所述的输入浪涌电流抑制电路,其特征在于,所述电阻R1的阻值为47KΩ,电阻R2的阻值为33KΩ,电阻R3的阻值为47KΩ,电阻R4的阻值为33KΩ,电阻R5的阻值为470Ω,电容C1为0.1UF,电容C2为0.1UF。
3.如权利要求1所述的输入浪涌电流抑制电路,其特征在于,所述PNP型三极管Q1的型号为2N3251A。
4.如权利要求1所述的输入浪涌电流抑制电路,其特征在于,所述P沟道场效应晶体管Q2的型号为IRFP9130。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置





