[发明专利]低噪声参考信号生成方法和电路

权利要求书

1.一种低噪声参考信号生成电路，其特征在于，包括：

滤波器单元，包括晶体管和能量存储部件，其中所述晶体管包括第一节点，第二节点，控制节点和主体节点，所述第一节点用于接收输入信号，所述第二节点用于输出经滤波后的滤波信号，所述控制节点配置为接收用于控制晶体管导通或截止的控制信号，所述主体节点配置为耦接到所述输入信号或所述滤波信号，并且所述能量存储部件耦合到所述晶体管的第二节点；以及

功能单元，耦合到所述晶体管的第二节点和所述能量存储部件，其中所述功能单元具有高输入阻抗。

2.如权利要求1所述的低噪声参考信号生成电路，其特征在于，所述控制信号是具有有规律的脉冲的脉冲宽度调制信号，具有不规律的脉冲的脉冲宽度调制信号，或脉冲频率调制信号。

3.如权利要求1所述的低噪声参考信号生成电路，其特征在于，当所述控制信号处于第一电压电平状态时，所述晶体管导通，所述能量存储部件充电，并且所述滤波器单元配置为全通滤波器；当所述控制信号处于第二电压电平状态时，所述晶体管截止，所述滤波器单元配置为低通滤波器。

4.如权利要求3所述的低噪声参考信号生成电路，其特征在于，所述控制信号在控制信号的单个周期中的第一电压电平状态下的控制信号的时间大于等于零。

5.如权利要求4所述的低噪声参考信号生成电路，其特征在于，所述控制信号在控制信号的单个周期中的第一电压电平的状态下的控制信号的时间与所述控制信号的单个周期的比率小于1/100。

6.如权利要求4所述的低噪声参考信号生成电路，其特征在于，在所述低噪声参考信号生成电路的初始运行期间，所述控制信号在所述控制信号的单个周期中处于所述第一电压电平状态的时间大于在所述初始运行期间之后的运行期间的所述控制信号处于所述第一电压电平状态的时间。

7.如权利要求1所述的低噪声参考信号生成电路，其特征在于，所述能量存储部件包括金属-绝缘体-金属电容器，金属-氧化物-金属电容器，MOS电容器或MOS变容器。

8.如权利要求1所述的低噪声参考信号生成电路，其特征在于，所述能量存储部件包括阻尼电路，所述阻尼电路包括至少一个晶体管和至少一个电容器。

9.如权利要求8所述的低噪声参考信号生成电路，其特征在于，所述能量存储部件中的所述阻尼电路的输入节点耦合到所述滤波器单元中的所述晶体管的第二节点。

10.一种低噪声参考信号生成电路，其特征在于，包括：

滤波器单元，包括晶体管和能量存储部件，其中所述晶体管包括第一节点，第二节点，控制节点和主体节点，所述第一节点用于接收输入信号，所述第二节点用于输出经滤波后的滤波信号，所述控制节点配置为接收用于控制晶体管导通或截止的控制信号，所述主体节点配置为耦接到所述输入信号或所述滤波信号，并且能量存储部件耦合到晶体管的第二节点；

输入单元，耦合到所述晶体管的第一节点，其中所述输入单元是电流到电压转换电路；以及

功能单元，耦合到所述晶体管的第二节点和所述能量存储部件，其中所述功能单元是具有高输入阻抗的电压到电流转换电路。

11.一种用于低噪声参考信号生成的方法，其特征在于，包括：

提供包括滤波器单元和功能单元的电路，其中所述滤波器单元包括晶体管和能量存储部件，所述晶体管用于接收输入信号并输出经滤波后的滤波信号，所述晶体管的主体节点用于耦接到所述输入信号或所述滤波信号，所述功能单元具有高输入阻抗；

通过控制信号控制所述晶体管导通以对所述能量存储部件充电；以及

通过所述控制信号控制所述晶体管截止，以使所述滤波器单元配置为低通滤波器。