[发明专利]一种类单晶籽晶的铺设方法在审
| 申请号： | 201811376708.1 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109321968A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 黄晶晶;张涛;肖贵云;丁云飞;梅坤;姜志兴;叶鹏;金浩 | 申请（专利权）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶籽晶 拼接缝 第一层 铺设 熔化 单晶硅片 高温熔化 冷却凝固 液体穿透 错位式 硅熔体 错开 多晶 跳步 籽晶 坩埚 申请 运输 | ||
【权利要求书】：
1.一种类单晶籽晶的铺设方法，其特征在于，包括：
在坩埚底部紧密铺设厚度与籽晶熔化结束跳步高度相同的第一层单晶籽晶；
在所述第一层单晶籽晶上面错位式紧密铺设第二层单晶籽晶，其中，所述第二层单晶籽晶的拼接缝与所述第一层单晶籽晶的拼接缝相互错开。
2.根据权利要求1所述的类单晶籽晶的铺设方法，其特征在于，所述第一层单晶籽晶的厚度为15毫米至25毫米。
3.根据权利要求1所述的类单晶籽晶的铺设方法，其特征在于，所述第二层单晶籽晶的厚度为10毫米至15毫米。
4.根据权利要求1所述的类单晶籽晶的铺设方法，其特征在于，所述第二层单晶籽晶的拼接缝与所述第一层单晶籽晶的拼接缝错开的距离为5毫米至15毫米。
5.根据权利要求1-4任一项所述的类单晶籽晶的铺设方法，其特征在于，所述第一层单晶籽晶和所述第二层单晶籽晶与坩埚内侧面之间的距离为20毫米至40毫米。
6.根据权利要求5所述的类单晶籽晶的铺设方法，其特征在于，所述第一层单晶籽晶和所述第二层单晶籽晶的边长范围为158毫米至180毫米。
7.根据权利要求1-4任一项所述的类单晶籽晶的铺设方法，其特征在于，所述第一层单晶籽晶与所述第二层单晶籽晶均为硅单晶籽晶。
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