[发明专利]一种含有四个硅氢键的外消偕二硅基烷烃化合物及其合成方法和应用

说明书

本发明公开了一种含有四个硅氢键的外消偕二硅基烷烃化合物，如式IV所示，并公开了外消偕二硅基烷烃化合物的合成方法：惰性气体下，以式I所示的炔烃和式II所示的三氢硅烷为原料，以手性CoX₂‑IIP络合物为催化剂，在还原剂存在下，反应制得式IV所示的含有四个硅氢键的外消偕二硅基烷烃化合物。本发明方法反应条件温和，操作简便，原子经济性高。另外，反应无需其他任何的有毒过渡金属(如钌、铑、钯等)盐类的加入，在药物和材料合成上具有较大的实际应用价值。且反应具有中等至优秀的产率(51％～99％)，高区域选择性(10:1～19:1，大部分19:1)。

技术领域

本方法涉及一种含有四个硅氢键的外消偕二硅基烷烃化合物及其合成方法和应用。

背景技术

有机烷基硅化合物在有机合成[(a)Fleming,I.；Barbero,A.；Walter,D.Chem.Rev.1997,97,2063.(b)Denmark,S.E.；Regens,C.S.Acc.Chem.Res.2008,41,1486.(c)Nakao,Y.；Hiyama,T.Chem.Soc.Rev.2011,40,4893.(d)Jensen,K.L.；Dickmeiss,G.；Jiang,H.；Albrecht,K.A.Acc.Chem.Res.2012,45,248.(e)Zhang,H.-J.；Priebbenow,D.L.；Bolm,C.Chem.Soc.Rev.2013,42,8540.]、材料化学[Silicon inOrganic,Organometallic,and Polymer Chemistry；Brook,M.A.,Ed.；Wiley:New York,1999.]、以及药物化学[(a)Pooni,P.K.；Showell,G.A.Mini-Rev.Med.Chem.2006,6,1169.(b)Gately,S.；West,R.Drug Dev.Res.2007,68,156.(c)Franz,A.K.；Wilson,S.O.J.Med.Chem.2013,56,388.(d)Min,G.K.；Hernández,D.；Skrydstrup,T.Acc.Chem.Res.2013,46,457.]等领域有着众多的应用。偕二硅基烷烃，即两个硅基基团连在烷基的同一个碳上的化合物，一方面由于该类化合物存在两个可修饰的硅基，相比于单硅化合物，其转化更具多样性；另一方面，偕二硅基的位阻效应及电子效应可为有机化学反应提供与传统反应不一样的选择性，因此在有机合成中有着广泛的应用。[(a)Gao,L.；Zhang,Y.-B.；Song,Z.-L.Synlett 2013,24,139.(b)Wu,Y.；Li,L.；Li,H.；Gao,L.；Xie,H.；Zhang,Z.；Su,S.；Hu,C.；Song,Z.Org.Lett.2014,16,1880-1883.(c)Gao,L.；Lu,J.；Song,Z.L.；Lin,X.L.；Xu,Y.J.；Yin,Z.P.Chem.Commun.2013,49(79),8961-8963.(d)Liu,Z.J.；Lin,X.L.；Yang,N.；Su,Z.S.；Hu,C.W.；Xiao,P.H.；He,Y.Y.；Song,Z.L.J.Am.Chem.Soc.2016,138(6),1877-1883.(e)Chu,Z.W.；Wang,K.；Gao,L.；Song,Z.L.Chem.Commun.2017,53(21),3078-3081.(f)Chu,Y.；Pu,Q.；Tang,Z.X.；Gao,L.；Song,Z.L.Tetrahedron 2017,73(26),3707-3713.]然而，由于目前很少有方法能够高效便捷地合成偕二硅基烷烃，限制了该类有机硅化合物更为广泛的应用探究。因此，一种高效制备偕二硅基烷烃的方法就显得非常有意义。