[发明专利]一种基于壳聚糖修饰硅藻As(V)离子印迹材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201811373229.4 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109364893A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 马丽丽;余清凤;陈南春;解庆林;梁效铭;李聪;钟溢健 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | B01J20/26 | 分类号： | B01J20/26;C02F1/28;B01J20/30;C02F101/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅藻 壳聚糖 离子印迹材料 共价键连接 功能单体 环氧基团 水解 修饰 制备 缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷 网状结构聚合物 制备方法和应用 氨基 壳聚糖氨基 表面修饰 共价交联 活性位点 交联反应 聚合反应 吸附性能 电负性 交联剂 可塑性 吸附剂 开环 缩合 缩聚 缩水 | ||
1.一种基于壳聚糖修饰硅藻As(V)离子印迹材料的制备方法，包括以下步骤：
将硅藻土和甲磺酸溶液混合后进行活化，得到活化硅藻土；
将壳聚糖、As(V)溶液和HAc溶液混合，得到壳聚糖溶胶；
将所述活化硅藻土、壳聚糖溶胶和γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷混合进行聚合反应，得到硅藻基交联聚合物；
用盐酸溶液洗脱所述硅藻基交联聚合物中的模板离子，得到基于壳聚糖修饰硅藻As(V)离子印迹材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述壳聚糖与活化硅藻土的质量比为0.1～0.4:1。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述壳聚糖与γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷的摩尔比为1:0～6。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述壳聚糖与As(V)溶液中模板离子As(V)的用量比为0.75g:0.027～0.107mmol。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述壳聚糖与盐酸溶液的用量比为1.5g：100mL，所述盐酸溶液的浓度为0.5～3mol/L。
6.权利要求1～5任意一项所述制备方法制得的基于壳聚糖修饰硅藻As(V)离子印迹材料。
7.权利要求6所述的基于壳聚糖修饰硅藻As(V)离子印迹材料在As(V)离子吸附中的应用。
8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，包括以下步骤：
将所述基于壳聚糖修饰硅藻As(V)离子印迹材料和As(V)溶液混合进行吸附。
9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述混合在pH值为2～11的条件下进行。
10.根据权利要求8或9所述的应用，其特征在于，所述吸附的温度为15～65℃，吸附的时间为2～720min。
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