[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

于所述半导体衬底上沉积表面氧化层及硬掩膜，并经构图工艺将所述硬掩膜形成图案化硬掩膜，将所述表面氧化层形成图案化衬氧化层，在所述半导体衬底中形成交替间隔分布的岛状图案和沟槽，其中所述岛状图案的上表面靠近所述沟槽的位置为转角区，所述图案化衬氧化层覆盖所述岛状图案，所述图案化硬掩膜覆盖所述图案化衬氧化层；

对所述图案化衬氧化层的外露侧边进行横向刻蚀，以显露所述转角区；

在所述沟槽的侧壁、底面、所述转角区以及所述图案化衬氧化层横向刻蚀后的侧边表面形成保护层，其中所述保护层从所述沟槽的侧壁延伸到所述岛状图案的上表面而形成转角；以及

在所述沟槽内形成隔离结构。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述转角的角度大小的范围为90～120度。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述隔离结构之后，还包括：

去除所述半导体衬底上的所述隔离结构。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，去除所述半导体衬底上的所述隔离结构包括：

对所述隔离结构进行平坦化研磨；

对所述隔离结构进行平坦化研磨之后，所述方法还包括：

形成氮化硅层；

在所述岛状图案对应的位置，通过构图工艺对所述氮化硅层和所述保护层进行刻蚀形成过孔，其中所述过孔的底部与所述岛状图案连通形成接触着陆区。

5.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

于所述半导体衬底上沉积表面氧化层、第一氮化硅层及硬掩膜，并经构图工艺将所述硬掩膜形成图案化硬掩膜，将所述表面氧化层形成图案化衬氧化层，将所述第一氮化硅层形成图案化氮化硅层，在所述半导体衬底中形成交替间隔分布的岛状图案和沟槽，其中所述岛状图案的上表面靠近所述沟槽的位置为转角区，所述图案化硬掩膜覆盖所述图案化氮化硅层，所述图案化氮化硅层覆盖所述图案化衬氧化层，所述图案化衬氧化层覆盖所述岛状图案；

对所述图案化衬氧化层和所述图案化氮化硅层进行刻蚀，以显露所述转角区；

在所述沟槽的侧壁、底面、所述转角区、所述图案化衬氧化层的表面以及所述图案化氮化硅层刻蚀后的侧边表面形成保护层，其中所述保护层从所述沟槽的侧壁延伸到所述岛状图案的上表面而形成转角；以及在所述沟槽内形成隔离结构。

6.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底中包括交替间隔分布的岛状图案和沟槽，其中所述岛状图案的上表面靠近所述沟槽的位置为转角区；

图案化衬氧化层，覆盖在所述岛状图案的上表面除所述转角区之外的区域；

保护层，覆盖在所述沟槽的侧壁、底面、所述转角区以及所述图案化衬氧化层的侧边表面，其中所述保护层从所述沟槽的侧壁延伸到所述转角区而形成转角；

隔离结构，位于所述沟槽内。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

图案化氮化硅层，覆盖在所述图案化衬氧化层之上，且所述图案化氮化硅层的正投影的面积小于或等于所述图案化衬氧化层的正投影的面积；

所述保护层还覆盖所述图案化氮化硅层的表面。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

图案化氮化硅层，覆盖在所述图案化衬氧化层之上，且所述图案化氮化硅层的正投影的面积大于所述图案化衬氧化层的正投影的面积；

所述保护层还覆盖所述氮化硅层的表面。

9.如权利要求6-8中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述转角的角度大小的范围为90～120度。

10.如权利要求6-8中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述转角的形状为直角、钝角或圆滑的直角或圆滑的钝角。