[发明专利]一种晶圆表面颗粒的脱机检测方法在审
| 申请号： | 201811369318.1 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109473370A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 黄莉晶;何广智;倪棋梁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 塔形结构 膜层 正常生产工艺 上表面 圆表面 衬底 复数 晶圆 脱机 种晶 检测 半导体 晶圆产品 脱机状态 微小颗粒 刻蚀 生产工艺 散落 覆盖 改进 | ||
1.一种晶圆表面颗粒的脱机检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、在脱机状态下，提供一非生产性晶圆，在所述非生产性晶圆的半导体衬底上形成一膜层，所述膜层覆盖所述半导体衬底的上表面；
步骤S2、模拟正常生产工艺，复数个颗粒散落在所述膜层的上表面；
步骤S3、刻蚀所述膜层，形成复数个塔形结构，每个所述塔形结构的上表面覆盖有一个所述颗粒；
步骤S4、对经步骤S3处理得到的所述塔形结构进行检测，获取所述塔形结构的电信号；
步骤S5，根据所述电信号，计算得到所述颗粒在所述半导体衬底上的位置、每个所述颗粒的尺寸和所述颗粒的数量；
步骤S6、根据步骤S5的结果，对正常生产工艺进行改进。
2.根据权利要求1所述的晶圆表面颗粒的脱机检测方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的晶圆表面颗粒的脱机检测方法，其特征在于，所述膜层的厚度为
4.根据权利要求1所述的晶圆表面颗粒的脱机检测方法，其特征在于，所述膜层的厚度与所述半导体衬底的厚度的比值为0.1：1～2：1。
5.根据权利要求1所述的晶圆表面颗粒的脱机检测方法，其特征在于，所述塔形结构为梯形圆台，所述塔形结构的上表面的内径小于所述塔形结构的下表面的内径。
6.根据权利要求1所述的晶圆表面颗粒的脱机检测方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述刻蚀为干法刻蚀。
7.根据权利要求1所述的晶圆表面颗粒的脱机检测方法，其特征在于，还包括：
步骤S7、对经步骤S4检测后的所述非生产性晶圆进行处理，去除所述颗粒和所述膜层。
8.根据权利要求7所述的晶圆表面颗粒的脱机检测方法，其特征在于，去除所述颗粒和所述膜层的方法为化学机械研磨。
9.根据权利要求7所述的晶圆表面颗粒的脱机检测方法，其特征在于，还包括：
步骤S8、对经步骤S7处理后的所述非生产性晶圆进行清洁，回收所述非生产性晶圆。
10.根据权利要求1所述的晶圆表面颗粒的脱机检测方法，其特征在于，在所述步骤S3中，刻蚀完成后，清除所述膜层表面的刻蚀副产物；或
刻蚀完成后，不清除所述膜层表面的刻蚀副产物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
