[发明专利]一种柔性薄膜体声波谐振器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811368194.5 申请日: 2018-11-16
公开(公告)号: CN109361373A 公开(公告)日: 2019-02-19
发明(设计)人: 廖丹;袁严辉;王悦辉;顾晓勤;谢辉;张国庆;黎萍;于楚泓 申请(专利权)人: 电子科技大学中山学院
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17;H03H3/02
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 黄启文
地址: 528400 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电极 制备 柔性薄膜体 声波谐振器 下电极 衬底 氧化石墨 复合材料 压电层 还原 滤波器 聚二甲基硅氧烷 射频微机电系统 乙烯二氧噻吩 高谐振频率 触觉检测 溶液制备 射频电路 水热法制 碳纳米管 依次设置 真空退火 保护层 氮化铝 高品质 高柔性 石墨烯 极化 上旋 沉积 固化 应用
【权利要求书】:

1.一种柔性薄膜体声波谐振器,包括由下至上依次设置的衬底、下电极、压电层和上电极,其特征在于:所述上电极和下电极的材质为石墨烯、碳纳米管CNT或聚3,4-乙烯二氧噻吩PEDOT,所述压电层的材质为聚偏氟乙烯PVDF或共聚物P(VDF-TrFE)与ZnO纳米棒、锆钛酸铅PZT或氮化铝AIN的复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种柔性薄膜体声波谐振器,其特征在于:所述衬底的材料为聚酰亚胺PI或聚对苯二甲酸乙二醇酯PET。

3.根据权利要求1所述的一种柔性薄膜体声波谐振器,其特征在于:所述上电极上设置有保护层;所述保护层的材质为聚二甲基硅氧烷PDMS或硅树脂。

4.根据权利要求3所述的一种柔性薄膜体声波谐振器,其特征在于:所述衬底的厚度为10-100μm,所述上电极和下电极的厚度为10-100nm,所述压电层的厚度为1-10μm,所述保护层的厚度为10-100μm。

5.一种柔性薄膜体声波谐振器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1:固定衬底,在衬底上表面通过还原氧化石墨制备石墨烯下电极;

S2:在下电极上表面利用水热法制备ZnO纳米棒;

S3:在ZnO纳米棒上旋涂P(VDF-TrFE),并真空退火处理;

S4:在ZnO/P(VDF-TrFE)上表面通过还原氧化石墨制备石墨烯上电极,并进行极化;

S5:在上电极上层沉积固化聚二甲基硅氧烷溶液制备保护层。

6.根据权利要求5所述的一种柔性薄膜体声波谐振器的制备方法,其特征在于:所述S1步骤中的还原氧化石墨的具体步骤如下:

S1.1:利用天然石墨、浓硝酸和浓硫酸的混酸或高锰酸钾试剂,采用Hummers方法制备得到氧化石墨溶液;

S1.2:使用旋涂仪将氧化石墨溶液沉积到衬底上表面;

S1.3:将完成沉积的氧化石墨放入200-400℃的真空恒温箱中进行还原。

7.根据权利要求5所述的一种柔性薄膜体声波谐振器的制备方法,其特征在于:所述S2步骤的具体制备步骤如下:

S2.1:利用醋酸锌和乙醇配置ZnO晶种溶液;

S2.2:使用旋涂仪将ZnO晶种溶液沉积到下电极上表面;

S2.3:将六水硝酸锌和六次甲基四胺加入去离子水中配制生长溶液;

S2.4:将ZnO晶种放入生长溶液中,并在90摄氏度的真空烘箱中水热生长1-4小时。

8.根据权利要求5所述的一种柔性薄膜体声波谐振器的制备方法,其特征在于:所述S3步骤的具体步骤如下:

S3.1:将P(VDF-TrFE)粉末溶于10%溶液浓度的MEK/DMSO混合有机溶剂中,通过超声波混合器使P(VDF-TrFE)粉末充分溶解,配制P(VDF-TrFE)溶液;

S3.2:使用旋涂仪将P(VDF-TrFE)溶液沉积到ZnO纳米棒上表面;

S3.3:将完成沉积的P(VDF-TrFE)置于140℃的真空恒温箱中进行退火处理。

9.根据权利要求5所述的一种柔性薄膜体声波谐振器的制备方法,其特征在于:所述S4步骤的具体步骤如下:

S4.1:使用旋涂仪将氧化石墨溶液沉积到ZnO/P(VDF-TrFE)薄膜的上表面;

S4.2:将完成沉积的氧化石墨置于60℃的真空恒温箱中进行还原;

S4.3:对ZnO/P(VDF-TrFE)薄膜进行极化处理。

10.根据权利要求5所述的一种柔性薄膜体声波谐振器的制备方法,其特征在于:所述S5步骤的具体步骤如下:

S5.1:以10:1混合比例的聚二甲基硅氧烷和乙烷制备PDMS溶液;

S5.2:使用旋涂仪将PDMS溶液沉积到上电极上表面;

S5.3:将完成沉积的PDMS置于40-80℃的恒温箱进行固化。

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