[发明专利]一种晶片及其处理方法

说明书

本申请提供了一种晶片及其处理方法。在方法可以根据晶片至少两个不同方向上的第一翘曲度差异，对晶片表面的至少部分区域进行掺杂，从而缩小晶片不同方向上的应力差，使得晶片内部不同区域的应力分布大致均匀，从而使得晶片不同方向的翘曲度差异满足预设要求。因此，本申请可以通过对晶片表面进行掺杂的方式改善晶片不同区域的应力分布，而且，由于掺杂的具体工艺条件是根据晶片至少两个方向上的翘曲度差异来确定的，所以，该方法能够缩小晶片不同方向上的应力差，进而改善不同晶片不同方向上的翘曲度差异，从而使得晶片不同方向的翘曲度差异满足预设要求，进而使晶片表面变得平整。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶片及其处理方法。

背景技术

晶片是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故也称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。

晶片在制造过程中，会在其内部产生应力。该应力的存在会导致晶片存在不同程度的翘曲。该翘曲不利于后续半导体器件的制造。因此，晶圆内部应力是后续半导体器件的制造工艺的一个巨大挑战。其中，半导体器件制造工艺例如可以为光刻刻蚀、薄膜沉积和键合工艺等。

为了减小或消除晶片内部应力，业界提出了一些减小或消除晶片内部应力的晶片处理方法。但是处理后的晶片内部的应力分布不均匀，从而使得晶片不同方向存在不同程度的翘曲。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种晶片及其处理方法，以降低晶片内部应力，并使晶片内部应力分布均匀，从而使得晶片不同方向的翘曲一致。

为了解决上述技术问题，本申请采用了如下技术方案：

一种晶片处理方法，包括：

采集晶片分别在至少两个不同方向上的第一翘曲度；

根据所述晶片至少两个不同方向上的第一翘曲度，获取所述晶片在所述至少两个不同方向上的第一翘曲度差异；

当所述第一翘曲度差异不满足预设要求时，根据所述第一翘曲度差异，对晶片表面的至少部分区域进行第一掺杂，以使掺杂后的晶片不同方向的翘曲度差异满足预设要求。

可选地，所述至少两个不同方向至少包括两个相互垂直的方向。

可选地，所述对晶片表面的至少部分区域进行掺杂，具体包括：

对晶片背面的至少部分区域进行掺杂。

可选地，所述根据第一翘曲度差异，对晶片表面的至少部分区域进行掺杂之后，还包括：

采集处理后的晶片至少两个不同方向上的第二翘曲度；

根据所述处理后的晶片至少两个不同方向上的第二翘曲度，获取所述处理后的晶片至少两个不同方向上的第二翘曲度差异；

判断所述第二翘曲度差异是否满足所述预设要求，如果否，则根据所述第二翘曲度差异，对晶片表面的至少部分区域进行第二掺杂，以使所述晶片不同方向的翘曲度差异满足所述预设要求。

可选地，所述第一掺杂和所述第二掺杂的晶片表面区域至少部分重合。

可选地，所述第一掺杂和所述第二掺杂的晶片表面区域完全不重合。

可选地，所述晶片表面的至少部分区域至少包括沿着所述至少两个不同方向中的一个方向的晶片边缘区域。

一种晶片，所述晶片表面的至少部分区域掺杂有掺杂杂质，所述掺杂杂质能够使所述晶片不同方向的翘曲度差异满足预设要求。

可选地，所述晶片表面的至少部分区域包括第一局部区域和第二局部区域，所述第一局部区域和所述第二局部区域至少部分重合。