[发明专利]制造半导体装置的方法及其结构

说明书

本发明实施例涉及制造半导体装置的方法及其结构。本发明实施例涉及一种制造半导体装置的方法，其包含：在掩模层之上形成第一心轴及第二心轴；在所述第一心轴与第二心轴之上沉积间隔件层；在所述第一心轴与所述第二心轴之间的所述间隔件层之上形成线端切割图案；在所述线端切割图案之上沉积保护层；蚀刻所述线端切割图案上的所述保护层；减小所述线端切割图案的宽度；通过所述减小的线端切割图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述间隔件层的第一水平部分；移除所述第一心轴及所述第二心轴；及使用所述经蚀刻间隔件层及所述经蚀刻线端切割图案作为蚀刻掩模，图案化所述掩模层。

技术领域

本发明实施例涉及制造半导体装置的方法及其结构。

背景技术

伴随先进半导体装置的按比例缩小的当前趋势，处理技术(例如，光刻)经调适以允许具有更小尺寸及经提升的准确度的装置构件。然而，归因于可用制造技术及设备的限制，可能阻止实现所述处理性能(例如，光刻分辨率)的继续改进。已作出延长购买的制造设备的生命周期的努力，以有助于开发工艺及减小支出。随着半导体装置被制造为越来越小的大小，装置的构件间隔(即，间距)可降低到使用现存光刻设备及工艺可能无法实现之点。

发明内容

本发明的实施例涉及一种制造半导体装置的方法，其包括：在掩模层之上形成第一心轴及第二心轴；在所述第一心轴及所述第二心轴之上沉积间隔件层；在所述第一心轴与所述第二心轴之间的所述间隔件层之上，形成线端切割图案；在所述线端切割图案之上沉积保护层；蚀刻所述保护层；减小所述线端切割图案的宽度；通过所述减小的线端切割图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述间隔件层的第一水平部分；移除所述第一心轴及所述第二心轴；及使用所述经蚀刻间隔件层及所述经蚀刻线端切割图案作为蚀刻掩模，图案化所述掩模层。

本发明的实施例涉及一种制造半导体装置的方法，其包括：图案化心轴层中的第一开口；在所述第一开口的侧壁之上且沿着所述侧壁沉积间隔件层；在所述间隔件层之上形成第一图案化掩模，其中所述第一图案化掩模包括第二开口，其暴露所述第一开口的底部部分上的所述间隔件层的一部分；在所述第二开口中沉积牺牲材料；移除所述第一图案化掩模；经由蚀刻所述牺牲材料形成线端切割图案；沉积覆盖所述线端切割图案的保护层；修整所述线端切割图案及所述保护层；图案化所述间隔件层，使得所述间隔件层的部分保留在所述心轴层的侧壁上；及通过移除所述心轴层，同时保留所述经蚀刻线端切割图案及所述图案化间隔件层，形成第二图案化掩模。

本发明的实施例涉及一种方法，其包括：在掩模层之上图案化多个心轴；在所述多个心轴的侧壁之上且沿着所述侧壁沉积间隔件层；在所述间隔件层之上形成图案化掩模，所述图案化掩模包括开口，其暴露所述多个心轴的邻近者之间的所述间隔件层的一部分；在所述图案化掩模之上在所述开口中沉积牺牲材料；移除所述图案化掩模，借此在所述间隔件层上形成线端切割图案；沉积保护层，其覆盖所述牺牲材料及所述间隔件层；修整所述保护层，同时保留由所述保护层覆盖的所述间隔件层；减小所述线端切割图案的宽度；图案化所述间隔件层以暴露所述多个心轴；移除所述多个心轴；及使用所述间隔件层的侧壁部分及所述减小线端切割图案作为蚀刻掩模，图案化所述掩模层。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下具体实施方式最佳地理解本揭露的方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种构件未按比例绘制。特定地，可出于论述清楚起见而任意地增大或减小各种构件的尺寸。

根据一些实施例，图1到5、6A、6B、7A、7B、8A、8B、9A、9B、10A、10B、11A、11B、12A、12B、13A、13B、14A、14B、15A、15B及16是制造半导体装置的中间阶段的示意剖面图。

根据一些其它实施例，图17A、17B、18A、18B、19A、19B及20为制造半导体装置的中间阶段的示意剖面图。

具体实施方式