[发明专利]一种仿太阳光谱LED灯

权利要求书

1.一种仿太阳光谱LED灯，其特征在于，包括基板、LED芯片、封装胶和荧光粉，所述LED芯片通过封装胶封装于基板上，所述荧光粉分散于所述封装胶内，荧光粉占封装胶的5-30wt％；

所述LED芯片包括：波长为405-413nm的第一芯片、波长为420-425nm的第二芯片、波长为435-442nm的第三芯片、波长为445-455nm的第四芯片、波长为460-465nm的第五芯片、波长为470-475nm的第六芯片；

所述荧光粉由5-15％的波长为490-495nm的第一荧光粉、补足至100％的波长为520-530nm的第二荧光粉和4-15％的波长为640-660nm的第三荧光粉组成；

其中，所述第一荧光粉、第二荧光粉和第三荧光粉的配比为5-6:84.5-88.5:6.5-8.5；荧光粉占封装胶的12-25wt％。

2.如权利要求1所述的仿太阳光谱LED灯，其特征在于，所述LED芯片包括波长为700-940nm的发射管。

3.如权利要求1或2所述的仿太阳光谱LED灯，其特征在于，所述LED芯片中，第一芯片的发光强度小于第三芯片、第四芯片、第五芯片或第六芯片中任一芯片的发光强度；第二芯片的发光强度小于第三芯片、第四芯片、第五芯片或第六芯片中任一芯片的发光强度。

4.如权利要求3所述的仿太阳光谱LED灯，其特征在于，所述LED芯片中，第三芯片的发光强度大于第四芯片、第五芯片或第六芯片中任一芯片的发光强度。

5.如权利要求1所述的仿太阳光谱LED灯，其特征在于，所述LED芯片还包括波长为480-489nm的第七芯片。

6.如权利要求5所述的仿太阳光谱LED灯，其特征在于，所述LED芯片包括波长为700-940nm的发射管。

7.如权利要求5或6所述的仿太阳光谱LED灯，其特征在于，所述LED芯片中，第一芯片、第二芯片、第三芯片和第七芯片中任一芯片的发光强度小于第四芯片、第五芯片和第六芯片中任一芯片的发光强度。

8.如权利要求5或6所述的仿太阳光谱LED灯，其特征在于，所述LED芯片中，第四芯片或第五芯片的发光强度小于第三芯片的发光强度，且大于第一芯片、第二芯片、第六芯片、第七芯片中任一芯片的发光强度。