[发明专利]加热装置、蒸发源及蒸镀装置

说明书

本发明提供一种能够实现坩埚的温度分布的均匀化的提高的加热装置、蒸发源及蒸镀装置。加热装置具备：具有发热体(331b)并对坩埚(321)进行加热的加热器(331)；及隔着加热器(331)而设置在坩埚(321)的相反侧并使来自加热器(331)的热反射的第一反射器(341)，所述加热装置的特征在于，在第一反射器(341)局部性地设有热辐射率比其他部位高的高热辐射率部(341a)。

技术领域

本发明涉及在真空蒸镀中使用的加热装置、蒸发源及蒸镀装置。

背景技术

在真空蒸镀中，设有加热装置，该加热装置通过对收容有向基板蒸镀的物质的材料的坩埚进行加热，而用于使该材料蒸发或升华。当通过加热装置加热后的坩埚的温度分布变得不均匀时，材料的一部分残留，或者为了对全部的材料进行加热而需要额外的电力。因此，为了抑制坩埚的温度分布的不均匀，以往，采取使加热装置具备的发热体的密度根据位置而不同等对策。

然而，例如，在收容坩埚的壳体的形状为细长的情况下，辐射热的热交换根据壳体内的位置而产生偏差，因此仅仅是上述对策的话，难以抑制坩埚的温度分布的不均匀。

【在先技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】国际公开第2006/075755号

发明内容

【发明要解决的课题】

本发明的目的在于提供一种能够提高坩埚中的温度分布的均匀化的加热装置、蒸发源及蒸镀装置。

【用于解决课题的方案】

本发明为了解决上述课题而采用以下的方案。

即，本发明的加热装置具备：

加热器，所述加热器具有发热体，并对坩埚进行加热；及

反射器，所述反射器隔着所述加热器而设置在所述坩埚的相反侧，使来自所述加热器的热反射，

所述加热装置的特征在于，

在所述反射器局部性地设有热辐射率比其他部位高的高热辐射率部。

本发明的蒸发源的特征在于，具备：

收容向基板蒸镀的物质的材料的坩埚；及

对所述坩埚进行加热的上述的加热装置。

本发明的蒸镀装置的特征在于，具备：

上述的蒸发源；及

将所述蒸发源配置于内部的腔室。

【发明效果】

根据本发明，能够实现坩埚的温度分布的均匀化的提高。

附图说明

图1是本发明的实施例1的蒸镀装置的概略结构图。

图2是本发明的实施例1的蒸发源的示意性的剖视图。

图3是关于加热器及反射器与坩埚的温度分布的关系的说明图。

图4是表示本发明的实施例1的反射器的变形例的图。

图5是说明热辐射率与热阻的关系的图。

图6是本发明的实施例2的反射器的概略结构图。

图7是本发明的实施例3的蒸发源的示意性的剖视图。

【附图标记说明】