[发明专利]半导体封装装置在审
| 申请号： | 201811360079.3 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109378287A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王维斌;林正忠;陈明志;严成勉;李龙祥 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制程 半导体封装装置 预处理模块 晶圆 传送模块 传送 设备投入成本 半导体封装 自动化水平 布局优化 工艺生产 加热单元 结构设置 冷却单元 生产事故 产出率 产线 减小 流转 自动化 占用 停留 优化 | ||
1.一种半导体封装装置，其特征在于，包括：
多个制程模块；
预处理模块，位于所述制程模块之外，所述预处理模块包括若干个加热单元和若干个冷却单元；及
传送模块，用于在多个所述制程模块和所述预处理模块之间传送晶圆。
2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于：所述制程模块包括焊线腔室。
3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于：所述制程模块的数量大于等于4个。
4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于：若干个所述加热单元上下间隔排布；若干个所述冷却单元上下间隔排布，若干个所述冷却单元位于若干个所述加热单元下方，且与所述加热单元具有间距。
5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其特征在于：所述半导体封装装置还包括隔热层，所述隔热层位于所述加热单元与所述冷却单元之间。
6.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于：所述加热单元包括加热器。
7.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其特征在于，所述加热单元还包括温控器，所述温控器与所述加热器相连接。
8.根据权利要求1至7任一项所述的半导体封装装置，其特征在于：所述半导体封装装置还包括晶圆装载模块。
9.根据权利要求8所述的半导体封装装置，其特征在于：所述半导体封装装置还包括壳体，多个所述制程模块、所述预处理模块、所述传送模块及所述晶圆装载模块均位于所述壳体内。
10.根据权利要求9所述的半导体封装装置，其特征在于：所述半导体封装装置还包括过滤器，所述过滤器位于所述壳体上。
11.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于：所述半导体封装装置还包括壳体，所述传送模块位于所述壳体内，多个所述制程模块和所述预处理模块位于所述壳体外且与所述壳体相连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯长电半导体（江阴）有限公司，未经中芯长电半导体（江阴）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
