[发明专利]半导体制造设备及其操作方法

说明书

本公开提供一种半导体制造设备以处理一半导体物件。该半导体制造设备包括一处理反应室、一第一电极、一第二电极、一射频电源、以及一个或多个光源产生器。该第一电极设置于该处理反应室内。该第二电极设置于该处理反应室内并且实质上在该第一电极下方。该射频电源电连接至该第一电极。该一个或多个光源产生器设置于该处理反应室内以照射该半导体，从而释放该半导体物件上的电荷。

技术领域

本申请主张享有于2018/09/20申请的美国正式申请第16/137,224号的优先权及益处，该美国正式申请的内容以全文引用的方式并入本文中。

本公开涉及一种设备及该设备的操作方法，且特别涉及一种半导体制造设备及该制造设备的操作方法。

背景技术

具有半导体元件的电子设备对许多现代的应用至关重要。随着电子技术的进步，半导体元件的尺寸变得越来越小，并且提供更大的功能及更大数量的集成电路。半导体元件的制造通常涉及在半导体的基底上放置多个部件。

在干蚀刻工艺期间包括在等离子体形成期间，处理芯片上的电荷容易被诱发。特别对于高偏压的蚀刻工艺，以非各向同性蚀刻实现高纵深(high aspect ratio)结构，导体层的表面容易积累电子电荷。如果导体没有有效接地或导体层上的电荷未被适当地释放，导体层上的累积电压电位容易引起电弧现象(arc phenomenon)。

目前，反应室去静电盘(chamber de-chuck)用于蚀刻工艺之后释放电荷。但是，当蚀刻目标的几何形状太小以致无法连接到基板时，去静电盘的步骤即可能无法有效地释放小几何形状导体上的电荷。

上文的“现有技术”说明仅涉及背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的主题，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本申请的任一部分。

发明内容

本公开提供一种半导体制造设备以处理一半导体物件。该半导体制造设备包括：一处理反应室；一第一电极，设置于该反应室内；一第二电极，设置于该处理反应室内并且实质上在该第一电极下方；一射频电源，电连接至该第一电极；多个光源产生器，设置于该处理反应室内以照射该半导体物件，从而释放该半导体物件上的电荷。

在一些实施例中，该光源产生器的波长在280纳米至400纳米的范围内。

在一些实施例中，该光源产生器于一水平方向上以等间隔彼此间隔开。

在一些实施例中，该光源产生器设置于该半导体物件的上方。

在一些实施例中，该半导体制造设备还包括一气体供应系统，该气体供应系统连接至该处理反应室的入口，并且经配置以将一种或多种化学气体引入该处理反应室。

在一些实施例中，该半导体制造设备还包括一排气系统，该排气系统连接至该处理反应室的出口，并且经配置以从该处理反应室移除该化学气体。

在一些实施例中，该第二电极接地。

在一些实施例中，该第二电极是浮动的。

在一些实施例中，该第二电极经配置以平行于该第一电极。

在一些实施例中，该半导体制造设备被应用以执行一基于等离子体的工艺。

在一些实施例中，该半导体制造设备被应用以执行一蚀刻或一沉积的工艺。