[发明专利]一种测量聚变装置第一壁氢同位素渗透的方法有效

专利信息
申请号: 201811358818.5 申请日: 2018-11-15
公开(公告)号: CN109612881B 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 罗广南;袁小刚;刘皓东;周海山;赵明忠 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: G01N13/04 分类号: G01N13/04
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 230031 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 测量 聚变 装置 第一 氢同位素 渗透 方法
【权利要求书】:

1.一种测量聚变装置第一壁氢同位素渗透的方法,用于测量构成聚变装置第一壁的金属样品在聚变装置服役的等离子环境下的氢同位素渗透,其特征在于:首先构建测量系统,测量系统中将待测量的金属样品制成圆盘形,采用两个真空CF法兰分别夹持固定在金属样品圆盘的两面,以在测量时起到隔绝密封效果,金属样品圆盘的一面紧贴设置热电偶,使用三路管路,三路管路各自一端合为一路后密封对接至热电偶所在一面对应的真空CF法兰以与金属样品圆盘连通,在合路后的管路内间隔金属样品圆盘一段距离的位置设置加热器,实验中可根据需求对金属样品圆盘进行加热,三路管路中其中一路管路另一端通过阀门与一个标准漏孔连通,第二路管路另一端连通至一个质谱仪的进口,第三路管路另一端与一个真空泵组连通;测量前,首先通过阀门调节标准漏孔以对测量系统进行检漏,确定无漏点后启动真空泵组,将测量系统抽真空至与聚变装置主机真空一致,最后打开质谱仪并将测量系统整体置于聚变装置主机中等待等离子辐射,置于聚变装置时金属样品圆盘热电偶所在一面对应的真空CF法兰及其连接的管路面向聚变装置外,金属样品圆盘另一面对应的真空CF法兰面向聚变装置内,由金属样品圆盘将测量系统真空与聚变装置主真空室进行隔离,金属样品圆盘两面存在一定的压力差;在等离子辐射过载中远程查看质谱仪数据,基于质谱仪的数据分析处理得到氢同位素在构成聚变装置第一壁的金属材料样品的渗透参数;

所述质谱仪整体作磁屏蔽处理;

所述真空泵组为差分真空泵组;

所述加热器采用电加热的金属钨丝,通过改变电流控制金属钨丝温度进而给样品加热到指定温度;

所述热电偶与加热器构成测量上游段,通过在线加热金属样品圆盘测量气体热脱附或加热条件下的气体辐射。

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