[发明专利]3D存储器以及表面调整方法

权利要求书

1.一种3D存储器，包括：

3D存储结构；

背膜，所述背膜位于3D存储结构的表面并与之邻接；以及

应力层，所述应力层与所述背膜邻接，

其中，所述背膜中包括开口，所述应力层位于所述开口中，所述开口的形状包括多边形、圆形、环形及其任意组合的孔状或条状，所述开口用于限定所述应力层的图案，通过调整所述背膜的厚度、所述开口的形状以及所述应力层的材料来实现对不同程度翘曲的调整，以使所述翘曲被修正或被调整为各方向翘曲程度一致的对称性翘曲，

在修正所述翘曲的情况下，所述开口关于所述3D存储结构的中心对称分布以使所述应力层对各向同性翘曲的修正，或者在所述开口关于所述3D存储结构的非中心对称分布以使所述应力层对各向异性翘曲的修正。

2.根据权利要求1所述的3D存储器，其中，所述3D存储结构包括晶片以及位于所述晶片第一表面的栅叠层结构，

所述背膜位于所述晶片的第二表面，所述晶片的第一表面与第二表面彼此相对。

3.根据权利要求1所述的3D存储器，其中，所述开口的数量至少为一个。

4.根据权利要求1所述的3D存储器，其中，所述开口从所述背膜的表面延伸至所述背膜的内部的任意深度。

5.根据权利要求1所述的3D存储器，其中，所述开口贯穿所述背膜，延伸至所述3D存储结构的所述表面。

6.根据权利要求1所述的3D存储器，其中，所述应力层的材料包括具有收缩应力的材料、具有扩张应力的材料、和具有低应力的材料中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的3D存储器，其中，所述应力层的表面覆盖有薄膜，所述薄膜的厚度不影响所述3D存储结构的宏观应力。

8.一种3D存储器的表面调整方法，包括：

形成3D存储结构；

形成背膜，所述背膜位于所述3D存储结构的表面并与之邻接；

形成位于所述背膜上的开口；以及

形成位于所述开口内的应力层，

其中，所述开口的形状包括多边形、圆形、环形及其任意组合的孔状或条状，所述开口用于限定所述应力层的图案，通过调整所述背膜的厚度、所述开口的形状以及所述应力层的材料来实现对不同程度翘曲的调整，以使所述翘曲被修正或被调整为各方向翘曲程度一致的对称性翘曲，

在修正所述翘曲的情况下，所述开口关于所述3D存储结构的中心对称分布以使所述应力层对各向同性翘曲的修正，或者在所述开口关于所述3D存储结构的非中心对称分布以使所述应力层对各向异性翘曲的修正。

9.根据权利要求8所述的表面调整方法，其中，形成位于所述背膜上的开口的步骤包括：

测量所述3D存储结构的表面翘曲；

根据翘曲的方向性设计掩模图案；以及

蚀刻所述背膜，形成位于所述背膜上的开口。

10.根据权利要求8所述的表面调整方法，还包括：在所述应力层的表面形成薄膜，所述薄膜的厚度不影响所述3D存储结构的宏观应力。

11.根据权利要求8所述的表面调整方法，在形成位于所述开口内的应力层之后，还包括：对所述3D存储结构的表面进行平坦化处理，所述平坦化处理包括化学机械抛光。