[发明专利]用于封装件形成的工艺控制

权利要求书

1.一种形成封装件的方法，包括：

将第一器件管芯和第二器件管芯接合到第三器件管芯；

形成在所述第一器件管芯和所述第二器件管芯之间延伸的多个间隙填充层，所述第一器件管芯、所述第二器件管芯和所述多个间隙填充层并排设置在所述第三器件管芯上；

实施第一蚀刻工艺以蚀刻所述多个间隙填充层中的第一介电层以形成开口，其中，位于所述多个间隙填充层中并且位于所述第一介电层下面的第一蚀刻停止层用于停止所述第一蚀刻工艺；

使所述开口延伸穿过所述第一蚀刻停止层；

实施第二蚀刻工艺以使所述开口延伸穿过位于所述多个间隙填充层中并且位于所述第一蚀刻停止层下面的第二介电层，其中，所述多个间隙填充层中的第二蚀刻停止层与所述第三器件管芯直接接触，所述第二蚀刻工艺在所述第二蚀刻停止层上停止；

使所述开口延伸穿过所述第二蚀刻停止层以暴露所述第三器件管芯；以及

用导电材料填充所述开口以形成通孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一器件管芯和所述第二器件管芯的接合包括混合接合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二蚀刻停止层包括氮化硅层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二蚀刻停止层、所述第二介电层和所述第一蚀刻停止层是共形介电层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述开口延伸穿过所述第一蚀刻停止层包括使用所述第二介电层作为蚀刻停止层来蚀刻所述第一蚀刻停止层。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述多个间隙填充层之前，减薄所述第一器件管芯和所述第二器件管芯。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述多个间隙填充层之前，平坦化所述第一器件管芯和所述第二器件管芯以露出所述第一器件管芯和所述第二器件管芯中的通孔。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一器件管芯、所述第二器件管芯、所述第三器件管芯和所述多个间隙填充层不含有机介电材料。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一器件管芯和所述第二器件管芯上形成再分布线，其中，所述再分布线电连接到所述通孔。

10.一种形成封装件的方法，包括：

将多个器件管芯接合到器件晶圆；

在所述多个器件管芯之间形成隔离区，其中，形成所述隔离区包括：

形成第一蚀刻停止层，所述第一蚀刻停止层具有与所述多个器件管芯接触的侧壁部分和与所述器件晶圆的顶面接触的底部；

在所述第一蚀刻停止层上形成第一介电层；

在所述第一介电层上形成第二蚀刻停止层；以及

在所述第二蚀刻停止层上形成第二介电层，所述多个器件管芯和包括所述第一蚀刻停止层、所述第一介电层、所述第二蚀刻停止层以及所述第二介电层的所述隔离区并排设置在所述器件晶圆上；

蚀刻所述隔离区以形成穿过所述隔离区的第一开口，其中，所述器件晶圆的接合焊盘暴露于所述第一开口，并且在蚀刻所述隔离区期间，所述第二蚀刻停止层用于停止蚀刻所述第二介电层；

使所述第一开口延伸穿过所述第一介电层和所述第一蚀刻停止层以暴露所述器件晶圆；以及

用导电材料填充所述第一开口以形成第一通孔和第二通孔。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，使用共形沉积方法形成所述第一蚀刻停止层、所述第一介电层和所述第二蚀刻停止层。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，使用化学气相沉积形成所述第一蚀刻停止层、所述第一介电层和所述第二蚀刻停止层。