[发明专利]一种P型自整流压电俘能器有效
申请号: | 201811353054.0 | 申请日: | 2018-11-14 |
公开(公告)号: | CN109327160B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 周静;王志青;陈文;刘曰利;沈杰;陈巧 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | H02N2/18 | 分类号: | H02N2/18 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 唐万荣;乐综胜 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 整流 压电 俘能器 | ||
1.一种P型自整流压电俘能器,其特征在于,包括量子点整流压电俘能板和固定装置,量子点整流压电俘能板与固定装置连接,量子点整流压电俘能板包括基板、压电元件层和p型量子点自整流层,压电元件层和p型量子点自整流层依次铺设于基板上;
p型量子点自整流层与压电元件层需要满足以下条件:,且VD1/ VD,则p型量子点自整流层与压电元件层之间形成自整流,其中p型量子点自整流层与压电元件层接触造成材料间的能带结构偏移,产生电势差,VD是p型量子点自整流层和压电元件层的接触电势差,VD1为在p型量子点自整流层处的电势差,VD2为在压电元件层处的电势差,为p型量子点自整流层的载流子浓度,为压电元件层的载流子浓度,为p型量子点自整流层的介电常数,为压电元件层的介电常数;
p型量子点自整流层为P型Cu12Sb4S13 QD空穴传输层;
制备所述的P型自整流压电俘能器的方法,包括以下步骤:
1)采用磁控溅射法在基板上制备PZT压电薄膜;
2)采用热注入法制备量子点前驱体溶液;
3) 将量子点前驱体溶液旋涂于PZT压电薄膜上,形成p型量子点自整流层;
4) 将基板的一端与固定装置连接,形成悬臂梁式支撑结构;
所述的步骤2)中,采用热注入法制备量子点前驱体溶液具体过程包括以下步骤:
A)将一定量的碘化亚铜和油胺加入到容器中;
B)通氩气并搅拌,排尽容器内的空气;
C)加热容器升高温度至目标温度,使铜盐溶解,得到浅黄色澄清溶液;
D)加入一定量的氯化锑,保温一定时间,使氯化锑与油胺完全络合,溶液仍然保持浅黄色;
E)将一定量的硫源前驱体溶液快速注入到容器的溶液中溶液颜色迅速由黄色变为深棕色;
F)反应一段时间后,停止加热和搅拌,并将容器迅速冷却。
2.根据权利要求1所述的P型自整流压电俘能器,其特征在于,量子点整流压电俘能板的一端与固定装置连接,量子点整流压电俘能板的另一端悬置,形成悬臂梁式振动支撑结构。
3.根据权利要求1所述的P型自整流压电俘能器,其特征在于,p型量子点自整流层连接有外部储能装置。
4.根据权利要求1所述的P型自整流压电俘能器,其特征在于,压电元件层为压电晶体、压电陶瓷、压电薄膜、压电聚合物和压电复合材料中的一种或任意几种的组合。
5.根据权利要求4所述的P型自整流压电俘能器,其特征在于,压电元件层为PZT压电薄膜。
6.根据权利要求1所述的P型自整流压电俘能器,其特征在于,基板的材料为Pt/TiO2/SiO2/Si。
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