[发明专利]半导体晶圆

说明书

提供了一种半导体晶圆和一种半导体晶圆制造方法。该晶圆包括支撑基材、半导体基材和接触层。支撑基材具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。半导体基材设置在支撑基材的第一表面上，其中半导体基材是配置以形成多个元件。接触层设置在支撑基材的第二表面上以接触支撑基材，其中接触层是配置以接触静电吸盘，且接触层的电阻率小于支撑基材的电阻率。在半导体晶圆制造方法中，首先提供原始晶圆。随后，通过使用植入操作或沉积操作形成接触层。

技术领域

本揭露是有关于一种半导体晶圆与半导体晶圆的制造方法，且特别是有关于一种适用静电吸盘的半导体晶圆与半导体晶圆的制造方法。

背景技术

在半导体晶圆的处理中，半导体晶圆通常设置在处理腔室中的晶圆支撑件上。晶圆支撑件包括静电吸盘，该静电吸盘具有能够被偏压以将晶圆固定在晶圆支撑件上的电极。例如，可以将高频电功率施加到电极，以使得能够在半导体晶圆和静电吸盘的吸盘表面中分别产生正电荷和负电荷，使得半导体晶圆通过半导体晶圆与电极之间的库仑力而被吸引及吸持在吸盘表面上。晶圆支撑件亦可以包括支撑柱和支撑处理腔室中的静电吸盘的基座，并且可以能够升高或降低吸盘和半导体晶圆的高度。

发明内容

根据本揭露的一些实施例，本揭露揭示了一种晶圆。该晶圆包括支撑基材、半导体基材和接触层。支撑基材具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。半导体基材设置在支撑基材的第一表面上，其中半导体基材是配置以形成多个元件。接触层设置在支撑基材的第二表面上并与支撑基材的第二表面接触，其中接触层是配置以接触静电吸盘，并且接触层的电阻率小于支撑基材的电阻率。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述可以最好地理解本揭露的各态样。值得注意的是，根据行业中的标准惯例，并未按比例绘制各个特征件。事实上，为了论述的清楚性，可以任意地增大或缩小各个特征件的尺寸。

图1a是绘示根据本揭露的一些实施例的半导体晶圆的示意图；

图1b是绘示根据本揭露的一些实施例的半导体晶圆的示意图；

图2a是绘示根据本揭露的一些实施例的静电吸盘的结构的示意图；

图2b是绘示根据本揭露的一些实施例的正固定半导体晶圆的静电吸盘的示意图；

图3a至图3e是绘示根据本揭露的一些实施例的半导体晶圆制造方法的中间阶段的示意图；

图4是绘示根据本揭露的实施例的晶圆制造方法的流程图；

图5a至图5d是绘示根据本揭露的一些实施例的半导体晶圆制造方法的中间阶段的示意图；

图6是绘示根据本揭露的实施例的半导体晶圆制造方法的流程图；

图7a至图7f是绘示根据本揭露的一些实施例的半导体晶圆制造方法的中间阶段的示意图；

图7g是绘示根据本揭露的一些实施例的用于形成有源元件的有源区的植入操作的示意图；

图8是绘示根据本揭露的实施例的半导体晶圆制造方法的流程图。

具体实施方式

以下揭示内容提供了用于实施所提供标的的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述了部件和布置的特定实例以简化本揭露。这些当然仅仅是实例，而并非意欲为限制性的。例如，在接下来的描述中在第二特征件上方或之上形成第一特征件可以包括其中第一和第二特征件形成为直接接触的实施例，并且亦可以包括其中可以在第一和第二特征件之间形成有额外特征件，使得第一和第二特征件可以不是直接接触的实施例。