[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、以及液晶显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在衬底(11)上形成图形化的栅极(12)；

在该衬底(11)上依次形成第一绝缘层(13)、金属氧化物半导体材料层(14)和蚀刻阻挡层(15)，其中该第一绝缘层(13)覆盖在该栅极(12)上，该金属氧化物半导体材料层(14)覆盖在该第一绝缘层(13)上，该蚀刻阻挡层(15)设于该金属氧化物半导体材料层(14)上，并与该栅极(12)的位置对应；

在该金属氧化物半导体材料层(14)和该蚀刻阻挡层(15)上形成相互间隔的源极(16a)和漏极(16b)，该金属氧化物半导体材料层(14)部分露出；

对露出的该金属氧化物半导体材料层(14)进行电浆处理，将露出的该金属氧化物半导体材料层(14)转化为第二绝缘层(141)，提供光阻(200)，利用该光阻(200)，对该第二绝缘层(141)进行图案化处理，在该第二绝缘层(141)上制作第二通孔(102)；

依次形成钝化层(18)和像素电极(19a)，该钝化层(18)覆盖在该源极(16a)、该漏极(16b)及该第二绝缘层(141)上，该像素电极(19a)设于该钝化层(18)上，使该像素电极(19a)与该漏极(16b)电性连接，利用该光阻(200)对该钝化层(18)进行图案化处理，以形成第一通孔(101)和贯穿该钝化层(18)和该第一绝缘层(13)的第三通孔(103)，该第三通孔(103)与该第二通孔(102)位置对应。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该金属氧化物半导体材料层(14)采用溶液涂布方式涂布于该第一绝缘层(13)上，该溶液涂布的方式是旋转涂布、狭缝和旋转涂布和狭缝涂布中的一种。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该电浆包括氧气电浆和一氧化二氮电浆。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该金属氧化物半导体材料层(14)的膜厚为2～10nm。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，依次形成该钝化层(18)和该像素电极(19a)的步骤具体包括：

形成该钝化层(18)，该钝化层(18)覆盖在该源极(16a)、该漏极(16b)及该第二绝缘层(141)上；

在该钝化层(18)上形成像素电极材料层(19)，对该像素电极材料层(19)进行图案化处理，形成该像素电极(19a)，其中，该像素电极(19a)穿过该第一通孔(101)与该漏极(16b)电性连接。

6.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该薄膜晶体管阵列基板(10)包括：

衬底(11)；

设于该衬底(11)上的栅极(12)；

设于该衬底(11)上的第一绝缘层(13)、金属氧化物半导体材料层(14)和蚀刻阻挡层(15)，该第一绝缘层(13)覆盖该栅极(12)，该金属氧化物半导体材料层(14)覆盖该第一绝缘层(13)，该蚀刻阻挡层(15)设于该金属氧化物半导体材料层(14)上，该蚀刻阻挡层(15)的位置与该栅极(12)的位置相互对应；

设于该金属氧化物半导体材料层(14)和该蚀刻阻挡层(15)上的相互间隔的源极(16a)和漏极(16b)，该源极(16a)和该漏极(16b)覆盖部分该金属氧化物半导体材料层(14)，该金属氧化物半导体材料层(14)包括由该源极(16a)和该漏极(16b)覆盖的金属氧化物有源层(142)和第二绝缘层(141)，该第二绝缘层(141)由露出的该金属氧化物半导体材料层(14)经过电浆处理后转化而成，该第二绝缘层(141)上设有有利于该第一绝缘层(13)蚀刻的第二通孔(102)；

形成在该源极(16a)、该漏极(16b)、该蚀刻阻挡层(15)、该第二绝缘层(141)上的钝化层(18)及形成在该钝化层(18)上的像素电极(19a)，该像素电极(19a)与该漏极(16b)电性连接，该钝化层(18)上形成有第一通孔(101)和贯穿该钝化层(18)的第三通孔(103)，该第三通孔(103)与该第二通孔(102)位置对应。

7.一种液晶显示面板，包括薄膜晶体管阵列基板(10)和彩色滤光片基板(20)以及夹置在该薄膜晶体管阵列基板(10)与该彩色滤光片基板之间的液晶层(30)，其特征在于，该薄膜晶体管阵列基板(10)为权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板(10)。