[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：

准备衬底的工序；和

对所述衬底从第1供给部供给非活性气体，对所述衬底从第2供给部供给非活性气体，对所述衬底从第3供给部供给处理气体，从而在所述衬底上形成膜的工序，其中，所述第3供给部设置在隔着穿过所述第2供给部和所述衬底的中心的直线而与所述第1供给部相反的一侧，

在所述形成膜的工序中，通过对从所述第1供给部供给的非活性气体的流量、与从所述第2供给部供给的非活性气体的流量的平衡进行控制，从而对在所述衬底上形成的所述膜的衬底面内膜厚分布进行调节。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使从所述第1供给部供给的非活性气体的流量与从所述第2供给部供给的非活性气体的流量不同。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使从所述第1供给部供给的非活性气体的流量大于从所述第2供给部供给的非活性气体的流量。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使从所述第1供给部供给的非活性气体的流量小于从所述第2供给部供给的非活性气体的流量。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述准备衬底的工序之后、所述形成膜的工序之前，进一步具有下述工序：

对所述衬底从所述第1供给部供给第2处理气体，对所述衬底从所述第2供给部供给非活性气体，对所述衬底从所述第3供给部供给非活性气体，从而在所述衬底上形成晶种层的工序，

在所述形成晶种层的工序中，通过对从所述第2供给部供给的非活性气体的流量、与从所述第3供给部供给的非活性气体的流量的平衡进行控制，从而对在所述衬底上形成的所述晶种层的衬底面内厚度分布进行调节。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，使从所述第2供给部供给的非活性气体的流量与从所述第3供给部供给的非活性气体的流量不同。

7.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，使从所述第2供给部供给的非活性气体的流量小于从所述第3供给部供给的非活性气体的流量。

8.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，使从所述第2供给部供给的非活性气体的流量大于从所述第3供给部供给的非活性气体的流量。

9.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述形成晶种层的工序中，将交替实施下述工序的循环实施规定次数：

对所述衬底从所述第1供给部、所述第2供给部、及所述第3供给部中的任一者供给第3处理气体的工序；和

对所述衬底从所述第1供给部供给所述第2处理气体，对所述衬底从所述第2供给部供给非活性气体，对所述衬底从所述第3供给部供给非活性气体的工序。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述供给第3处理气体的工序中，对所述衬底从所述第1供给部供给非活性气体，对所述衬底从所述第2供给部供给所述第3处理气体，对所述衬底从所述第3供给部供给非活性气体。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述准备衬底的工序之后、所述形成膜的工序之前，进一步具有下述工序：

对所述衬底从所述第1供给部供给非活性气体，对所述衬底从所述第2供给部供给非活性气体，对所述衬底从所述第3供给部供给第2处理气体，从而在所述衬底上形成晶种层的工序，

在所述形成晶种层的工序中，通过对从所述第1供给部供给的非活性气体的流量、与从所述第2供给部供给的非活性气体的流量的平衡进行控制，从而对在所述衬底上形成的所述晶种层的衬底面内厚度分布进行调节。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，使从所述第1供给部供给的非活性气体的流量与从所述第2供给部供给的非活性气体的流量不同。