[发明专利]一种薄膜结构的ZrCo基贮氚材料及制备方法在审
| 申请号： | 201811351339.0 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109371374A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 寇化秦;包锦春;叶荣兴;何晖;黄志勇;张光辉 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院材料研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18 |
| 代理公司： | 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 | 代理人： | 陈春华 |
| 地址： | 621700 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜结构 制备 金属元素 掺杂金属元素 磁控溅射仪 极限真空 退火处理 贮氢容量 靶基距 合金靶 样品台 单质 溅射 歧化 加热 | ||
1.一种薄膜结构的ZrCo基贮氚材料，其特征在于，由ZrCo掺杂金属元素制成，所述金属元素选自Ti、Hf、Ni、Fe中的一种或多种，所述金属元素的原子百分质量含量为0～50％。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜结构的ZrCo基贮氚材料，其特征在于，所述ZrCo基贮氚材料的薄膜厚度为10纳米～5000纳米。
3.一种薄膜结构的ZrCo基贮氚材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1.磁控溅射：将合金靶、或/和单质靶装在磁控溅射仪上，控制样品台加热温度为100～950℃，靶基距为5～14cm，极限真空为1×10-6～1×10-4Pa，惰性气氛下溅射，得到所述薄膜结构的ZrCo基贮氚材料；
步骤2.退火：将步骤1得到的ZrCo基贮氚材料进行退火处理。
4.根据权利要求3所述的一种薄膜结构的ZrCo基贮氚材料的制备方法，其特征在于，所述合金靶为ZrCo合金靶、或ZrCo掺杂合金靶；所述ZrCo掺杂合金靶为ZrCo掺杂Ti、Hf、Ni、Fe中的一种或几种元素制成。
5.根据权利要求3所述的一种薄膜结构的ZrCo基贮氚材料的制备方法，其特征在于，所述单质靶选自Ti、Hf、Ni、Fe中的任意一种。
6.根据权利要求4或5所述的一种薄膜结构的ZrCo基贮氚材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，沉积薄膜结构的ZrCo基贮氚材料的基底选自Si片、Mo片、玻璃片的任意一种。
7.根据权利要求3所述的一种薄膜结构的ZrCo基贮氚材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，溅射仪内的气氛为氩气或氦气，气压为0.1～10Pa。
8.根据权利要求3所述的一种薄膜结构的ZrCo基贮氚材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，磁控溅射仪的电源功率为0～500W，溅射电流为50～100mA。
9.根据权利要求3所述的一种薄膜结构的ZrCo基贮氚材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，溅射时间为10min～300min。
10.根据权利要求3所述的一种薄膜结构的ZrCo基贮氚材料的制备方法，其特征在于，所述步骤2中，退火温度为150～650℃，保温时间为30min～200min。
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