[发明专利]基于逐次比较法的荧光寿命测量方式

说明书

基于逐次比较法的荧光寿命测量方式，主要通过模拟域比较器对光探测单元输出的电压信号进行实时比较并取舍的方式，使最终的输出信号只包括最高电压、最低电压和时间信号，大大减少了传感器输出的有效数据量，减轻了带宽压力。

技术领域

本发明涉及到CMOS成像领域，尤其涉及基于逐次比较法的荧光寿命测量方式。

背景技术

荧光寿命成像是一种利用荧光团受到激发后产生的衰减曲线进行微观成像的方式。这种荧光成像方式不会受到斯托克斯距离太短、环境自荧光效应、荧光团浓度不均以及光通路不同等因素的影响，只取决于荧光团所处的物理及化学环境，因此被广泛地应用于现代医学以及生命科学研究中，例如检测药物在血液中的传递及吸收、检测癌细胞的扩散情况等。

目前的荧光寿命成像方式主要有时间相关的单光子计数法、门控图像增强以及频域下的相量法三种。但是这三种方式在高频脉冲激光对荧光团进行激发后，光探测单元会产生大量的数据，需要即时处理。这样就给传感器的输出带宽带来了很大的压力，严重限制了图像传感器的成像帧率。因此如何有效减少输出的数据量成为设计荧光寿命图像传感器的重要考量。

发明内容

针对现有技术存在的难题，本发明一种基于逐次比较法的荧光寿命测量方式，主要通过模拟域比较器对光探测单元输出的电压信号进行实时比较并取舍的方式，使最终的输出信号只包括最高电压、最低电压和时间信号，大大减少了传感器输出的有效数据量，减轻了带宽压力。

基于逐次比较法的荧光寿命测量方式，具体实施方案为：

（1）基于逐次比较法的荧光寿命测量方式的系统结构

荧光寿命测量方式的系统结构包括高频脉冲源、涂有荧光染料样品、光子探测单元以及两个模拟域比较器，如图1所示。当高频脉冲激光照射涂有荧光染料的样品后，荧光染料会辐射出与入射光波长不同的荧光光线；这些辐射出的荧光光线照射到光子探测单元，被转化为电压信号，送入两个模拟域比较器；比较器一保存下整个测量过程中各个时间段所输出的最高电压，比较器二保存下整个测量过程中各个时间段所输出的最低电压；最终传感器将最高电压、最低电压与采集到最低电压的时刻输出，即可计算出荧光寿命。

（2）荧光寿命计算算法

荧光寿命，即荧光光强衰减到其峰值的所需要的时间。如图2所示，我们将整个测量时间T分为n个曝光时间，每个曝光时间为：

在每个曝光时间结束后，将光探测单元的输出分别传入两个比较器。在比较器一中判断其是否比参考电压高，若比参考电压高则输出，否则输出保持参考电压；在比较器二中判断其是否比参考电压低，若比参考电压低则输出及当前时间，否则输出保持参考电压及参考时刻；整个测量时间T结束以后，比较器一输出，比较器二输出及时间，根据荧光寿命的衰减函数

即可得到荧光寿命

。

基于逐次比较法的荧光寿命测量方式，提出的测量荧光寿命的方式与传统的荧光寿命成像方式相比，实时地筛选了冗余的数据，大大降低了传感器读出的数据量，节省了输出带宽，有效地提高了成像帧率。

附图说明

图1基于逐次比较法的荧光寿命测量方式系统示意图；

图2基于逐次比较法的荧光寿命测量方式计算原理曲线图。

具体实施方式