[发明专利]气体管、气体供应系统以及使用其的半导体器件制造方法

说明书

本发明提供一种气体管、一种含有气体管的气体供应系统以及一种使用气体供应系统的半导体制造方法。气体管包含多孔材料体和包围多孔材料体的耐蚀护套。多孔材料体具有中空管结构和中空管结构内部的空腔。多孔材料体为疏水性的且在多孔材料体中具有多个孔隙。耐蚀护套安置于多孔材料体上且包围多孔材料体。耐蚀护套包含穿透耐蚀护套的多个孔。

技术领域

本发明的实施例是有关于气体管、气体供应系统以及使用其的半导体器件制造方法。

背景技术

半导体制造工艺常常采用浸没浴或化学浴用于清洁、湿式刻蚀或甚至剥离操作。用于将气体或空气供应到浸没浴或化学浴中的气体供应元件或设备起着重要作用且往往对处理结果具有显著影响。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供一种供应气体的气体管，包括：多孔材料体，具有中空管结构以及中空管结构内部的空腔，其中多孔材料体为疏水性的且在多孔材料体中具有多个孔隙；以及耐蚀护套，安置于多孔材料体上且包围多孔材料体，其中耐蚀护套包括穿透耐蚀护套的多个孔。

根据本发明的一些实施例，提供一种用于供应气体的气体供应系统，包括：气体供应源；至少一个气体管，与气体供应源连接；管道，与气体供应源连接且将气体供应源与至少一个气体管连接；阀门，定位于管道与气体供应源之间；以及至少一个连接件，连接到至少一个气体管的至少一端且将管道与至少一个气体管连接，以及其中至少一个气体管包括：多孔材料体，具有中空管结构以及中空管结构内部的空腔，其中多孔材料体为疏水性的且在多孔材料体中具有多个孔隙；以及耐蚀护套，安置于多孔材料体上且包围多孔材料体，其中耐蚀护套包括穿透耐蚀护套的多个孔。

根据本发明的一些实施例，提供一种用于半导体器件的半导体制造方法，包括：提供芯片；通过使芯片浸没到第一清洁槽中的第一清洁溶液中以及经由第一气体管供应第一气体来对芯片执行预清洁工艺；通过使芯片浸没到刻蚀槽中的刻蚀溶液中以及经由第二气体管供应第二气体来对芯片执行湿式刻蚀工艺；以及通过使芯片浸没到第二清洁槽中的第二清洁溶液中以及经由第三气体管供应第三气体来对芯片执行后清洁工艺，以及其中第一气体管、第二气体管以及第三气体管中的至少一个为气体供应管，气体供应管包括：多孔材料体，具有中空管结构以及中空管结构内部的空腔，其中多孔材料体为疏水性的且在多孔材料体中具有多个孔隙；以及耐蚀护套，安置于多孔材料体上且包围多孔材料体，其中耐蚀护套包括穿透耐蚀护套的多个孔。

附图说明

当结合附图阅读以下详细描述时会最好地理解本公开的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1为示出根据本发明的一些示例性实施例的气体供应元件的一部分的三维示意图。

图2A为示出根据本发明的一些示例性实施例的气体供应管的分解示意图。

图2B为示出根据本发明的一些示例性实施例的气体供应管的三维示意图。

图3为示出根据本发明的一些示例性实施例的气体供应元件的一部分的示意图。

图4为绘示根据本发明的一些示例性实施例的气体供应系统与半导体处理系统的相对连接关系的示意图。

图5A到图5D为根据一些示例性实施例的半导体器件制造方法中各个阶段的横截面示意图。

图6为绘示根据一些示例性实施例的半导体器件制造方法的工艺步骤的流程图。

附图标号说明

10：气体供应系统；

40：半导体处理系统；

50：芯片；

50a：清洁芯片表面；

100、100'：气体供应元件；