[发明专利]一种显示基板及其制备方法和显示面板有效
申请号: | 201811346697.2 | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN109449189B | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 刘晓云 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 魏艳新;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 面板 | ||
1.一种显示基板,包括基板和设置在所述基板上的像素界定层、下电极、不同颜色的发光功能层和上电极,不同颜色的所述发光功能层和其所述下电极设置于交叉设置的所述像素界定层界定的不同像素内,在所述像素内,沿远离所述基板的方向,所述下电极、所述发光功能层和所述上电极依次设置,所述上电极还延伸至所述像素界定层上,所述上电极能反射和透射至少部分光线,所述下电极能反射至少部分光线,所述上电极的与所述发光功能层的交界面和所述下电极的反射面之间构成了微共振腔,不同颜色的所述像素的所述微共振腔腔长不同,其特征在于,不同颜色所述像素内所述下电极的所述反射面与所述基板之间的距离不同,以使所述像素界定层的远离所述基板的一侧表面与所述发光功能层的远离所述基板的一侧表面的距离差小于或等于设定阈值;
所述上电极的厚度范围为
所述设定阈值的取值范围为或者,所述像素界定层的远离所述基板的一侧表面与所述发光功能层的远离所述基板的一侧表面齐平;
不同颜色的所述发光功能层的厚度相同;
所述下电极包括第一透明导电层和反射电极,沿远离所述基板的方向,所述反射电极和所述第一透明导电层依次设置,所述下电极的反射面为所述第一透明导电层与所述反射电极的交界面;
不同颜色所述像素内的所述第一透明导电层的厚度不同;
所述下电极还包括第二透明导电层,所述第二透明导电层设置于所述反射电极的靠近所述基板的一侧,不同颜色所述像素内所述反射电极的厚度不同,不同颜色所述像素内所述第二透明导电层的厚度相同。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述发光功能层包括空穴传输层、空穴注入层、发光层、电子注入层和电子传输层。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,不同颜色的所述发光功能层包括红色发光功能层、绿色发光功能层和蓝色发光功能层,所述红色发光功能层、所述绿色发光功能层和所述蓝色发光功能层对应的所述第一透明导电层的厚度依次降低。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,不同颜色的所述发光功能层包括红色发光功能层、绿色发光功能层和蓝色发光功能层,所述红色发光功能层、所述绿色发光功能层和所述蓝色发光功能层对应的所述反射电极的厚度依次增加。
5.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-4任意一项所述的显示基板。
6.一种如权利要求1-4任意一项所述的显示基板的制备方法,其特征在于,包括在基板上制备形成下电极、像素界定层、不同颜色的发光功能层和上电极。
7.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法,其特征在于,制备形成所述下电极包括先后形成第二透明导电层、反射电极和第一透明导电层,形成所述反射电极包括:
在形成所述第二透明导电层的所述基板上形成多层反射电极材料膜,经过刻蚀后,不同颜色像素保留的所述反射电极材料膜的层数不同。
8.根据权利要求7所述的显示基板的制备方法,其特征在于,形成所述反射电极包括:
在形成所述第二透明导电层的所述基板上形成第一厚度的第一反射电极材料膜;
将红色像素和绿色像素的所述第一反射电极材料膜去除;
再形成第二厚度的第二反射电极材料膜;
将所述红色像素的所述第二反射电极材料膜去除;
再形成第三厚度的第三反射电极材料膜。
9.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法,其特征在于,制备形成所述下电极包括先后形成第二透明导电层、反射电极和第一透明导电层,形成所述第二透明导电层包括:
在所述基板上形成多层第二透明导电层材料膜,经过刻蚀后,不同颜色像素保留的所述第二透明导电层材料膜的层数不同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811346697.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的