[发明专利]一种导电/加热陶瓷及制备方法

权利要求书

1.一种导电/加热陶瓷，其特征在于包括未上釉薄板、预处理涂层和导电/导热膜层；所述未上釉薄板选用市面上的未上釉所有材质的陶瓷，表面粗糙度控制在1mm以内；所述预处理涂层为高分子聚合物薄膜，预处理涂层的涂覆位置为未上釉薄板的上表面；所述导电/导热膜层为金属薄膜或导电硫化物薄膜。

2.如权利要求1所述一种导电/加热陶瓷的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)选用未上釉的块状薄板陶瓷；

2)使用喷涂法在未上釉的块状薄板陶瓷上涂抹一层高分子聚合物水溶液；

3)利用激光切割技术进行掩膜图案化；

4)通过磁控溅射的方法在步骤3)处理的陶瓷上溅射一层导电层；

5)对制备得到的导电/加热陶瓷进行加热测试。

3.如权利要求2所述一种导电/加热陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述高分子聚合物水溶液采用一层厚度150～200nm的体积百分比为10％～30％高分子聚合物水溶液，溶液为去离子水。

4.如权利要求2所述一种导电/加热陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述高分子聚合物选自分子量低于20000的聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚丙烯聚合物。

5.如权利要求2所述一种导电/加热陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤4)中，所述导电层为金属导电层或金属硫化物导电层；所述金属导电层选自银导电层、金导电层、铂导电层、铜导电层、铝导电层中的一种。

6.如权利要求5所述一种导电/加热陶瓷的制备方法，其特征在于所述导电层的厚度为1000～3000nm；所述磁控溅射的技术参数为0～4Pa氩气环境，600～900s溅射时长，40～80W的溅射功率。

7.如权利要求5所述一种导电/加热陶瓷的制备方法，其特征在于所述银导电层：4Pa氩气环境，900s溅射时长，60W的溅射功率；金导电层：1.5Pa氩气环境，600s溅射时长，60W的溅射功率；铂导电层：1.0Pa氩气环境，600s溅射时长，40W的溅射功率；铜导电层：0.0Pa氩气环境，900s溅射时长，80W的溅射功率；铝导电层：3.0Pa氩气环境，600s溅射时长，50W的溅射功率。

8.如权利要求2所述一种导电/加热陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤4)中，所述导电层为非连续性薄膜，导电路径为曲折线型；导电层的图案由激光切割胶带作为掩膜，图案任意设计，镀膜完成后撤除胶带，即得到导电层电路图案；所述非连续性薄膜的厚度控制在1000～3000nm之间；导电连接的两端分别为陶瓷的两侧，陶瓷与陶瓷之间直接通过两侧的接口连通；所述导电层分为三类：第一类为非贵金属材料，第二类为金属混合物，第三类为金属硫化物。

9.如权利要求2所述一种导电/加热陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤5)中，所述导电/加热陶瓷进行加热测试，所用的导电/导热薄膜材料为铜/锆合金，其热阻系数大于200℃W^-1cm²。