[发明专利]一种离子注入的方法及设备有效
| 申请号： | 201811344422.5 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109473344B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 唐怡;董卫一鸣 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 方法 设备 | ||
1.一种离子注入的方法，包括：
产生满足注入能量的粒子束，所述粒子束包含目标离子和杂质粒子；
对所述粒子束施加第一偏转磁场，使所述粒子束发生偏转，对偏转后的粒子束施加第二偏转磁场，使所述粒子束发生二次偏转，以使所述目标离子和所述杂质粒子分离；以及
将分离出的所述目标离子注入至半导体晶圆；其中
所述第一偏转磁场使所述目标离子偏转第一角度，所述第二偏转磁场使所述目标离子偏转第二角度，所述第二角度大于所述第一角度，以在二次偏转中强化所述目标离子和所述杂质粒子的分离；
所述第一偏转磁场使所述目标离子向第一方向偏转所述第一角度，所述第二偏转磁场使所述目标离子向不同于所述第一方向的第二方向偏转所述第二角度。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一角度与所述第二角度之和与所述注入能量成正比。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一角度与所述第二角度之和在15°-20°范围内；和/或
所述第二角度为所述第一角度的1.5-2倍。
4.一种离子注入的设备，包括：粒子发生模块、第一AEF筛选模块、第二AEF筛选模块和离子注入模块；其中
所述粒子发生模块产生满足注入能量的粒子束，所述粒子束包含目标离子和杂质粒子；
所述第一AEF筛选模块对所述粒子束施加第一偏转磁场，使所述粒子束发生偏转，所述第二AEF筛选模块对偏转后的粒子束施加第二偏转磁场，使所述粒子束发生二次偏转，以使所述目标离子和所述杂质粒子分离；以及
所述离子注入模块将分离出的所述目标离子注入至半导体晶圆；其中
所述第一偏转磁场使所述目标离子偏转第一角度，所述第二偏转磁场使所述目标离子偏转第二角度，所述第二角度大于所述第一角度，以在二次偏转中强化所述目标离子和所述杂质粒子的分离；
所述第一偏转磁场使所述目标离子向第一方向偏转所述第一角度，所述第二偏转磁场使所述目标离子向不同于所述第一方向的第二方向偏转所述第二角度。
5.如权利要求4所述的设备，其特征在于，所述第一角度与所述第二角度之和与所述注入能量成正比。
6.如权利要求5所述的设备，其特征在于，所述第一角度与所述第二角度之和在15°-20°范围内；和/或
所述第二角度为所述第一角度的1.5-2倍。
7.如权利要求4-6中任一项所述的设备，其特征在于，所述第一AEF筛选模块的入口大于所述第一AEF筛选模块的出口以去除部分所述杂质粒子；
所述第二AEF筛选模块的入口大于所述第二AEF筛选模块的出口以去除部分所述杂质粒子；以及
所述第二AEF筛选模块的入口小于所述第一AEF筛选模块的出口。
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