[发明专利]一种返抛硅片金属膜层的剥离方法

权利要求书

1.一种硅返抛片金属膜层的剥离方法，其特征在于，包括：

将含有金属膜层的硅返抛片在第一清洗液中浸泡；

将所述硅返抛片置于第二清洗液浸泡；

将所述硅返抛片浸入清洗剂溶液中超声清洗；

将所述硅返抛片进行去离子水溢流超声清洗；

将所述硅返抛片甩干；

其中，所述第一清洗液包括HF与HCl；所述第二清洗液包括HCl与H₂O₂。

2.根据权利要求1所述的硅返抛片金属膜层的剥离方法，其特征在于，所述第一清洗液中，所述HF的质量分数为27％-33％，所述HCl的质量分数为7％-12％；所述第一清洗液中HF和HCl溶液的体积比范围为2:1-4:1。

3.根据权利要求1所述的硅返抛片金属膜层的剥离方法，其特征在于，所述第二清洗液中，所述HCl的质量分数为10％-20％，所述H₂O₂的质量分数为10％-20％；所述第二清洗液中HCl和H₂O₂溶液的体积比范围为1:1-2:1。

4.根据权利要求1所述的硅返抛片金属膜层的剥离方法，其特征在于，在将含有金属膜层的所述硅返抛片在所述第一清洗液中浸泡之后，将所述硅返抛片置于第二清洗液浸泡之前，还包括：

使用纯水冲淋所述硅返抛片；

和/或，在将所述硅返抛片置于所述第二清洗液浸泡之后，在将所述硅返抛片浸入所述清洗剂溶液中超声清洗之前，还包括：

使用纯水冲淋所述硅返抛片。

5.根据权利要求1所述的硅返抛片金属膜层的剥离方法，其特征在于，在将含有金属膜层的硅返抛片在第一清洗液中浸泡的同时，还包括：

清理所述第一清洗液中的漂浮物；

和/或，在将所述硅返抛片置于第二清洗液浸泡的同时，还包括：

清理所述第二清洗液中的漂浮物。

6.根据权利要求1所述的硅返抛片金属膜层的剥离方法，其特征在于，所述清洗剂溶液呈碱性；所述清洗剂溶液中清洗剂的质量分数为1％-5％。

7.根据权利要求1所述的硅返抛片金属膜层的剥离方法，其特征在于，所述硅返抛片浸入所述清洗剂溶液中超声清洗的温度为55-60℃；所述硅返抛片浸入所述清洗剂溶液中超声清洗的频率为20-100KHZ；所述硅返抛片在所述清洗剂溶液中超声清洗的时间为8-12min。

8.根据权利要求1所述的硅返抛片金属膜层的剥离方法，其特征在于，所述硅返抛片进行去离子水溢流超声清洗的频率为20-100KHZ；所述硅返抛片进行去离子水溢流超声清洗的温度为室温；所述硅返抛片在所述去离子水中溢流超声清洗的时间为5-8min。

9.根据权利要求1所述的硅返抛片金属膜层的剥离方法，其特征在于，

所述硅返抛片在所述第一清洗液中的浸泡时间为30-50min。

10.根据权利要求1所述的硅返抛片金属膜层的剥离方法，其特征在于，

所述硅返抛片在所述第二清洗液中的浸泡时间为10-15min。