[发明专利]一种双向耐压VDMOS器件有效
| 申请号： | 201811343651.5 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109545839B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;钊雪会;徐浩;童鑫;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双向 耐压 vdmos 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种双向耐压VDMOS器件，其特征在于，包括：N型漏极(1)，其上设有第一N型外延层(2)，在第一N型外延层(2)的上方两侧分别设有柱状第一P型体区(11)，在两柱状第一P型体区(11)的内侧设有第二P型体区(5)，在第一P型体区(11)和第二P型体区(5)上设有第二N型外延层(10)，在第二N型外延层(10)上设有重掺杂N型源极(7)，在N型源极(7)表面连接有源极金属层(8)，在第一N型外延层(2)、第二P型体区(5)、第二N型外延层(10)及N型源极(7)内设有栅极沟槽(3)，栅极沟槽(3)起始于N型源极(7)的表面，穿过第二N型外延层(10)和第二P型体区(5)并止于第一N型外延层(2)内，栅极沟槽(3)底部及侧壁设有栅极氧化层(4)，在栅极沟槽(3)内设有栅极多晶硅(6)，在栅极沟槽(3)内的栅极多晶硅(6)顶部至N型源极(7)的上表面之间设有氧化层(9)，所述栅极沟槽(3)的下表面介于第二P型体区(5)下表面与柱状第一P型体区(11)的下表面之间。
2.根据权利要求1所述的一种双向耐压VDMOS器件，其特征在于，所述栅极多晶硅(6)的上表面高于所述第二P型体区(5)的上表面。
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