[发明专利]图像传感器及制造图像传感器的方法

说明书

本公开涉及一种图像传感器，包括：形成在半导体衬底中的光电二极管，所述光电二极管包括：具有第一导电类型的电荷收集区；以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的钉扎表面层，所述钉扎表面层位于所述电荷收集区之上，其中，所述钉扎表面层的至少部分由所述半导体衬底中的第二导电类型的载流子聚集而形成。本公开还涉及一种制造图像传感器的方法。本公开能够减小图像传感器的暗电流。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种图像传感器及制造图像传感器的方法。

背景技术

CMOS图像传感器的像素单元中包括光电二极管。特别地，CMOS图像传感器的像素单元中包括钉扎光电二极管。钉扎光电二极管可以减小暗电流，还可以增加累积的电荷量。

因此，存在对新技术的需求。

发明内容

本公开的目的之一是提供一种新的图像传感器及制造图像传感器的方法。

根据本公开的第一方面，提供了一种图像传感器，包括：形成在半导体衬底中的光电二极管，所述光电二极管包括：具有第一导电类型的电荷收集区；以及具有第二导电类型的钉扎表面层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所钉扎表面层位于所述电荷收集区之上，其中，所述钉扎表面层由所述半导体衬底中的第二导电类型的载流子聚集而形成。

根据本公开的第二方面，提供了一种制造图像传感器的方法，包括：在半导体衬底中形成光电二极管，其中形成所述光电二极管包括：在所述半导体衬底中形成具有第一导电类型的电荷收集区；以及使得所述半导体衬底中的第二导电类型的载流子，在所述半导体衬底的位于所述电荷收集区之上的部分中聚集，从而形成具有第二导电类型的钉扎表面层，其中，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1A和1B是分别示意性地示出了现有技术中制造图像传感器的方法的一些步骤处的图像传感器的截面的示意图。

图2A和2B是示意性地示出了根据本公开一个或多个示例性实施例的图像传感器的至少部分结构的形成原理的示意图。

图3A至3G是分别示意性地示出了在根据本公开一个或多个示例性实施例来制造图像传感器的方法示例的一些步骤处的图像传感器的截面的示意图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在一些情况中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，本公开并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式

下面将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。也就是说，本文中的结构及方法是以示例性的方式示出，来说明本公开中的结构和方法的不同实施例。然而，本领域技术人员将会理解，它们仅仅说明可以用来实施的本公开的示例性方式，而不是穷尽的方式。此外，附图不必按比例绘制，一些特征可能被放大以示出具体组件的细节。