[发明专利]一种二维薄层CdS/g-C3N4复合光催化剂的制备方法及用途在审

专利信息
申请号: 201811342607.2 申请日: 2018-11-12
公开(公告)号: CN109395758A 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 李鑫;吴东遥;周亚举;刘重阳;李金择;马长畅;霍鹏伟;闫永胜 申请(专利权)人: 江苏大学
主分类号: B01J27/24 分类号: B01J27/24;C02F1/30;C02F1/72;C02F101/34;C02F101/36;C02F101/38
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 212013 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 二维薄层 复合光催化剂 制备 纳米片 煅烧 前驱体 连续离子层吸附反应 超声处理 二次煅烧 固体样品 水浴加热 硝酸溶液 研磨 马弗炉 酸处理 中高温 超声 尿素 洗涤 冷却
【权利要求书】:

1.一种二维薄层CdS/g-C3N4复合光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤如下:

步骤1、制备二维薄层g-C3N4前驱体:将尿素置于马弗炉中高温煅烧,得到二维薄层g-C3N4前驱体;

步骤2、制备二维薄层g-C3N4纳米片:将步骤1得到的二维薄层g-C3N4前驱体加入到硝酸溶液当中,水浴加热条件下搅拌处理,将所得固体样品洗涤至中性、真空干燥后,进行煅烧,待冷却至室温后,研磨,得到二维薄层g-C3N4纳米片;

步骤3、制备二维薄层CdS/g-C3N4复合光催化剂:将步骤2得到的二维薄层g-C3N4纳米片在含有Cd2+的溶液中超声处理,离心,将所得固体加入到含有S2-的溶液中继续超声,得到二维薄层CdS/g-C3N4复合光催化剂。

2.根据权利要求1所述的一种二维薄层CdS/g-C3N4复合光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤1中,马弗炉煅烧的温度为室温~550℃,升温速率为5℃/min。

3.根据权利要求1所述的一种二维薄层CdS/g-C3N4复合光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤2中,所使用的硝酸的pH=1,所述煅烧的温度为室温~500℃,升温速率为5℃/min。

4.根据权利要求1所述的一种二维薄层CdS/g-C3N4复合光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤3中,所使用的二维薄层g-C3N4纳米片与含有Cd2+的溶液、含有S2-的溶液的用量比均为2mg:1mL。

5.根据权利要求1所述的一种二维薄层CdS/g-C3N4复合光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤3中,所使用的含有Cd2+的溶液为Cd(NO3)2水溶液,浓度为0.1M,所使用的含有S2-的溶液为Na2S水溶液,浓度为0.1M。

6.根据权利要求1所述的一种二维薄层CdS/g-C3N4复合光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤3中,所述的超声时间均为10min。

7.权利要求1~6任意一项所述的二维薄层CdS/g-C3N4复合光催化剂的制备方法制备得到的二维薄层CdS/g-C3N4复合光催化剂,其特征在于,所述二维薄层CdS/g-C3N4复合光催化剂中,所述g-C3N4为二维薄层的纳米片结构,CdS纳米颗粒附着在二维薄层g-C3N4纳米片表面,CdS纳米颗粒尺寸为20~40nm。

8.权利要求7所述的二维薄层CdS/g-C3N4复合光催化剂用于降解水体污染物中的罗丹明B有机分子的用途。

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